Современный транзистор
Cтраница 3
Чем объясняется высокая надежность и экономичность современных транзисторов. [31]
Эта тенденция вполне естественна: применение современных транзисторов и малогабаритных радиодеталей совместно с различными автоматическими регулировками позволяют создать компактные и высоконадежные передающие камеры, работающие в бесподстроечном режиме. Весьма существенным является и то, что такие камеры соединяются с приемной частью обычным коаксиальным кабелем вместо дорогого камерного кабеля. [32]
Транзисторные измерительные ключи, выполненные на современных транзисторах, имеют е0 порядка несколько сот милливольт; г0 - единиц-десятков омов; 13 - десятых-сотых долей микроампера; г3 - единиц-десятков мегомов. [33]
Транзисторные измерительные ключи, выполненные на современных транзисторах, имеют Е порядка нескольких сотен милливольт; R3 - единиц-десятков омов; / - десятых-сотых долей микроампера; Rp - единиц-десятков мегаомов. [34]
Предельная частота, на которой могут работать современные транзисторы, сравнительно мала. В таком тетроде есть дополнительный вывод от базы и на него подается напряжение, совпадающее по знаку с зарядом неосновных для базы носителей тока. [35]
Использование выражений (4.19) допустимо в подавляющем большинстве случаев применения современных транзисторов. Исключение составляют только некоторые очень специфические режимы. [36]
Точная оценка параметров этой схемы затрудняется малостью остаточных токов современных транзисторов и большим их разбросом. При нормальной температуре токи / Рк1 нА, а сопротивления составляет тысячи мегаом. При высоких температурах ( 100 С) токи возрастают до сотен наноампер, а сопротивления уменьшаются до уровня сотен мегаом. В большинстве ВИУ погрешности, вносимые этими остаточными параметрами, пренебрежимо малы по сравнению с другими составляющими погрешности и практически не влияют на выбор схем ключа. [37]
Это позволяет сделать вывод о том, что для современных транзисторов с частотами fTr свыше 100 Мгц и емкостями переходов порядка единиц пикофарад основной вклад в задержку вносит емкость эмиттера. [38]
Быстродействие маломощных приборов, вероятно, не будет уступать быстродействию современных транзисторов, а охемы на тиристорах могут быть значительно проще классических транзисторных схем. [39]
Материалы, методы получения р-п-переходов, параметры и конструктивное оформление современных транзисторов весьма разнообразны. Он может быть изготовлен и на основе кремния - типа. [40]
В связи с этим избыточный заряд неосновных носителей в насыщенном режиме в современных транзисторах может заполнять практически почти все области транзисторной структуры. [41]
Время рассасывания tpVT определяет уровень динамических потерь транзисторов РЯУТ, которые могут составлять для современных транзисторов до 10 % от выходной мощности конвертора. [42]
 |
Конструкция точечного транзистора.| Этапы изготовления и жоиструкци выращенного транзистора. [43] |
Для борьбы с этим явлением, ухудшающим качество работы транзисторной аппаратуры, при производстве современных транзисторов принимается ряд специальных мер по стабилизации поверхности полупроводника, после чего сохранение герметичности корпуса полупроводникового прибора является столь же необходимым, как и для электровакуумного прибора. [44]
Страницы: 1 2 3 4 5