Малошумящий транзистор

Cтраница 1

Малошумящие транзисторы должны иметь [2, 4] низкие обратные токи коллекторного перехода, поэтому будем предполагать, что транзисторы удовлетворяют этому требованию. [1]

Поэтому создание малошумящих транзисторов основано на совершенствовании обработки поверхности. [2]

С этой точки зрения малошумящие транзисторы должны обладать повышенной стабильностью параметров и меньшими величинами тока утечки. Таким образом, уровень шумов транзистора может являться критерием качества обработки его поверхности, а следовательно, в какой-то степени характеризовать надежность и стабильность транзистора. [3]

Схема полосового фильтра ПЧ с корректором ГВЗ. [4]

Для первого каскада ПУПЧ выбирается специальный малошумящий транзистор с большим коэффициентом передачи тока иа высокой - частоте. Ослабление влияния последующих каскадов иа коэффициент шума ПУПЧ достигается при большом значении коэффициента усиления первого каскада ( Ki, для чего применяется схема с общим эмиттером. [5]

Использовав в качестве первых трех транзисторов малошумящие транзисторы типа П27А, можно значительно снизить шумы и понизить порог чувствительности усилителя. [6]

Кремниевые р - n - p сплавные малошумящие транзисторы предназначены для работы в усилительных и генераторных схемах. [7]

В наиболее благоприятных условиях при использовании современных малошумящих транзисторов уровень собственных шумов полупроводниковых усилителей может оказаться близким по величине к уровню шумов усилителей на электронных лампах. [8]

С учетом всех указанных выше зависимостей изготовляют специальные малошумящие транзисторы, предназначенные для первых каскадов усилителей и радиоприемников. Чтобы шумы были минимальными, такие транзисторы работают при пониженных ик. [9]

Первый каскад УНЧЗ-2 корректирующего усилителя выполнен на малошумящем транзисторе Т1 ( П28), работающем в оптимальном режиме ( ток коллектора 0 2 мА) при сравнительно малом сопротивлении ( 1 - 2 кОм) головки звукоснимателя на нижних частотах. Для обеспечения необходимого входного сопротивления ( 47 кОм) на частотах выше 1000 Гц и температурной стабильности база транзистора Т1 питается через обмотку катушек головки звукоснимателя. Транзистор Т / включен по схеме с общим эмиттером. [10]

Первый и второй каскады УРЧ выполнены на малошумящих транзисторах VT1 и VT2, включенных по схеме с общим истоком. Для увеличения добротности контура и электрической устойчивости схемы блока УКВ применяется частичное включение контуров нагрузки первого и второго каскадов УРЧ. [11]

Принципиальная электрическая схема. [12]

Для понижения уровня собственных шумов на входе поставлен малошумящий транзистор VT1, работающий в режиме малых токов. Температурная и режимная стабилизация осуществляется за счет ООС по постоянному и переменному токам. На входе первого каскада УЗЧ включен регулятор громкости ( R2), а в коллекторную цепь транзистора VT2 включены регуляторы тембра высоких ( R9) и низких ( R11) звуковых частот. [13]

Зависимости приведенных среднеквадратичных значений эквивалентного шумового напряжения и эквивалентного шумового тока на частоте 10 кгц от тока коллектора. [14]

Таким образом, можно считать, что для малошумящих транзисторов эквивалентное шумовое напряжение определяется тепловым шумом сопротивления базы и дробовым шумом тока коллектора. Эквивалентный шумовой ток представляет дробовой шум тока базы. [15]

Страницы: 1 2 3 4