Малошумящий транзистор
Cтраница 3
В качестве МШУ используется разработанный автором 3 - х каскадный усилитель на кристаллах НЕМТ-транзисторов, имеющий шумовую температуру 300 К и коэффициент усиления 18 дБ на частоте 40 1 ГГц. Применение малошумящих транзисторов вместо MMIC-микро-схем позволяет настроить каскады МШУ на минимальный коэффициент шума, что в несколько раз снижает шумы всего устройства. [31]
Ко времени опубликования работы Лауритцена технология получения кремния была разработана достаточно хорошо и кремниевые планарные транзисторы стали общедоступными. Битва за получение малошумящих транзисторов, судя по всему, была выиграна. [32]
Универсальный усилитель левого канала ( рис. 3.16, а) выполнен на транзисторах l - Vl-1-V4. Первые два каскада содержат малошумящие транзисторы с гальванической связью между ними, при этом первый каскад работает в режиме микротоков. [33]
Она выполнена на пяти транзисторах и содержит корректирующий усилитель и активный фильтр, обеспечивающий крутой спад частотной характеристики в области нижних частот. В первом каскаде используется малошумящий транзистор VI, цепь базы которого питается через обмотку катушек головки звукоснимателя. [34]
Схема, выполненная на пяти транзисторах, состоит из корректирующего усилителя и активного фильтра, обеспечивающего крутой спад частотной характеристики в области нижних частот. В первом каскаде корректирующего усилителя используется малошумящий транзистор VI, цепь базы которого питается через обмотку катушек головки звукоснимателя. Для обеспечения первым каскадом корректирующего усилителя большого усиления второй каскад на транзисторе V3 выполнен по схеме с общим коллектором. С нагрузки второго каскада ( R24) сигнал поступает на базу транзистора V5 третьего, последнего, каскада предварительного усилителя. [36]
Как следует из данных табл. 7.1, порядок величины и разброс шумового сопротивления Кш в транзисторах различных типов примерно одинаковы. Разброс шумовой проводимости § шо - минимальный у малошумящих транзисторов П28, где он составляет несколько раз. У транзисторов с худшими шумовыми свойствами разброс gmo увеличивается и достигает нескольких десятков раз. [37]
Так, например, использование во входных каскадах приемных устройств малошумящих транзисторов позволяет без изменения схемы повысить чувствительность приемников. Выигрыш от такой модернизации наиболее ощутим на более высокочастотных диапазонах 432 МГц и 1296 МГц. На диапазоне 144 МГц чувствительность, близкая к предельной, определяемой внешними шумами эфира, достигается сравнительно легко. Поэтому на данном диапазоне нужно стремиться к повышению помехоустойчивости приемника, а не чувствительности. [38]
Перечень основных параметров ( исключая СВЧ-транзисторы и силовые транзисторы) приведен в табл. 2.2. Знаком плюс отмечено значение параметра, которое указывается для данного класса транзисторов. Знак звездочка () указывает на то, что значение параметра приводится только для специальных малошумящих транзисторов. [39]
 |
Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода ( и и зависимость дифференциального сопротивления диода от приложенного напряжения ( б. [40] |
На рис. 27 а приведена схема РУ с опорным диодом ( стабилитрон) типа Д808 в цепи управления. Резистор Ri и диод ui образуют параллельный управляемый делитель напряжения. Усилитель собран на малошумящем транзисторе Гь Уменьшение уровня сигнала на выходе осуществляется подачей положительного постоянного управляющего напряжения на диод Дь в результате чего перемещается рабочая точка на характеристике диода, дифференциальное сопротивление его уменьшается и напряжение, подаваемое на вход усилительного каскада, понижается. [41]
Выбор положения точки покоя для повторителя зависит от того, входным или выходным каскадом усилителя он является. Для повторителя, используемого на входе усилителя, применяют усилительный элемент с необходимой для усилителя полосой рабочих частот возможно меньшей мощности и габаритных размеров; ток покоя выходной цепи берут минимальный, лишь обеспечивающий нормальные показатели усилительного элемента. В малошумящих усилителях для входного повторителя используют малошумящий транзистор, который ставят в малошумящий режим. Делитель подачи смещения у повторителя рассчитывают, как в обычном каскаде. [42]
Как правило, в предварительных каскадах транзисторных УНЧ следует применять транзисторы со значением коэффициента р 30 - - т - 50 ( усиление по постоянному току в схеме с общим эмиттером) и начальным током коллектора не более 20 - 25 мка. В предварительных каскадах высококачественных транзисторных усилителей следует применять только малошумящие транзисторы ( типа П13Б, П27, П28, П101А, МП41А), у которых обратный ток коллектора находится в пределах 3 - 15 мка. [43]
Типовые маломощные транзисторы в лучшем случае позволяют получить сопротивление шума около 300 Ом. В современных разработках также часто используют входной каскад на малошумящем транзисторе. [44]
Относительно высокая стоимость некоторых радиодеталей также не должна служить ограничением их применимости. Удельный вес затрат на комплектующие изделия в малосерийной аппаратуре, как правило, невелик. В то же время применение некоторых относительно дорогих изделий, например малошумящих транзисторов типа П28, конденсаторов типа ФТ, К53 - 6А, резисторов БЛП, резко повышает качество разрабатываемой аппаратуры. Не следует бояться увеличения числа используемых транзисторов; оно оправдано, если заметно облегчается технология и настройка аппаратуры. [45]
Страницы: 1 2 3 4