Применяемый транзистор

Cтраница 1

Применяемые транзисторы не нужно подбирать по одинаковым характеристикам, и в дополнение ко входному можно включить последовательно любое число транзисторов. [1]

Логические элементы классифицируют также по типу применяемых транзисторов. [2]

На рис. 5.6 показано расположение выводов применяемых транзисторов в аппаратуре данной системы. [3]

Максимально допустимый ток нагрузки стабилизатора определяется типом применяемого транзистора. Если ток нагрузки / вьи превышает допустимое значение тока для выбранного транзистора, то применяют более мощный транзистор или включают транзисторы параллельно. Номинальная величина выходного напряжения 1 / вых равна напряжению стабилизации стабилитрона за вычетом небольшего напряжения ибэ. Так как напряжение [ / бэ не превышает нескольких десятых вольта, то обычно считают, что ( / вых Ucr. Если необходимо получить напряжение С / выж больше, чем 1 / ст имеющихся в наличии стабилитронов, то их соединяют последовательно ( рис. 78, а), при этом выходное напряжение будет поддерживаться на уровне, равном сумме напряжений стабилизации всех диодов. При необходимости стабилизировать небольшие напряжения в качестве стабилизирующих диодов применяют стабисторы или включенные в прямом направлении стабилитроны. Суммарное напряжение стабилизации определяется так же, как в случае однополярного включения. При этом напряжение стабилизации в прямом включении маломощных кремниевых стабилитронов всех типов составляет 0 7 - 0 8 В. [4]

Расчет ведется при минимально допустимом коэффициенте усиления применяемых транзисторов. [5]

Расчетное значение тока покоя коллектора / Ок применяемого транзистора должно обеспечить с достаточным запасом как по линейным искажениям, так и с точки зрения изменения положения точки покоя при колебаниях температуры окружающей среды и замене транзистора, максимальную расчетную амплитуду переменной составляющей входного тока транзистора следующего каскада / вхтсл. [6]

Последнее неприятное свойство целиком определяется технологией изготовления применяемых транзисторов и, как показывает опыт, в наименьшей степени выражено только у планарных транзисторов. [7]

Семейство выходных характеристик. [8]

При расчете, изготовлении и налаживании схем необходимо учитывать разброс параметров применяемых транзисторов. Наибольшим является разброс тока коллектора при фиксированном смещении на базе. Отклонение тока у отдельных экземпляров может достигать нескольких сотен процентов. Разброс по току базы также может составить сотни процентов. Разброс крутизны характеристики составляет не более 10 - f - 20 %, а разброс коллекторных емкостей также не превышает десятков процента. [9]

Для рассуждений на языке потенциалов необходимо прежде всего условиться о виде переходов в применяемых транзисторах. А также задаться состоянием транзистора данной половины триггера в момент, когда он считается переключенным в сторону этой половины. [10]

Количество каскадов УГС должно быть ориентировочно определено в начале расчета, исходя из параметров применяемых транзисторов и требуемого коэффициента усиления УГС по переменному току. Транзисторы в УГС должны быть включены по схеме с общим эмиттером. Отдельные транзисторы УГС могут быть включены по схеме с общим коллектором. [11]

Разновидности схем ТПУ. [12]

Выбор схемы включения транзистора с общей базой или общим эмиттером зависит от особенностей структуры применяемого транзистора. [13]

Количество последовательно включаемых ячеек КЯ зависит от величины напряжения - ЛБ и допустимого коллекторного напряжения ( 7Кд применяемых транзисторов. [14]

Выбор величины входных и выходных сигналов блоков соответственно связан с величиной дрейфа и требуемым классом прибора и возможностью использования наиболее широко применяемых транзисторов. [15]

Страницы: 1 2 3