Cтраница 3
Другим положительным свойством импульсных устройств на транзисторах с проводимостью разного типа является то, что с коллекторов двух транзисторов снимаются напряжения взаимопротивоположной полярности по отношению к общей точке. В таких устройствах при включении нагрузки между колекторами обоих транзисторов возможно снимать импульсы с большой амплитудой, вдвое превышающей амплитуду импульсов, формируемых аналогичными устройствами на транзисторах однотипной проводимости. Например, в триггерах амплитуда снимаемых между коллекторами обоих транзисторов импульсов почти вдвое может превышать предельно допустимые коллекторные напряжения применяемых транзисторов. [31]
Модулятор ( рис. 7.5, а) построен в виде Г - образного аттенюатора с полевым транзистором и вертикальном плече. Сопротивление транзистора изменяется управляющим сигналом. Учитывая передаточную характеристику применяемого транзистора, па его затвор необходимо подать постоянное напряжение смещения 3 В. Амплитуда переменной составляющей управляющего сигнала должна быть около I В. При этом получается 30 % - ная модуляция. Входной сигнал может иметь амплитуду до I В. На графиках ( рис. 7.5, б) представлены характеристики управления каскада, определенные для разных номиналов элементов схемы. [32]
Смеситель ( рис. 14.7) работает в широком диапазоне частот. На частоте 50 МГц коэффициент преобразования более 8 при амплитуде гетеродина 1 В. Он зависит от типа применяемого транзистора. [33]
Обратная связь снижает нелинейные искажения и обеспечивает выходное сопротивление около 600 Ом. Нижняя граничная частота усилителя равна 16 Гц. Общий коэффициент усиления схемы ( 150 - 250) зависит от коэффициента передачи применяемых транзисторов. [34]
Как правило, это оказывает влияние в первую очередь на линейность генерируемого напряжения. Поэтому минимальное допустимое значение тока ic на один-два порядка превосходит сумму тока утечки запертого ключа и тока нагрузки ( входного тока развязывающего усилителя), а это в свою очередь определяет минимальное значение емкости конденсатора С. Существенные преимущества дает применение в качестве ключей и в усилителе полевых транзисторов, которые позволяют обеспечить ток закрытого ключа и входной ток усилителя, на два-четыре порядка меньший, чем биполярные транзисторы. Использование полевых транзисторов позволяет получить длительность прямого хода в сотни миллисекунд и более при сравнительно небольших значениях С. Максимальное значение ic ограничивается мощностью применяемых транзисторов. Уменьшение емкости С возможно до тех пор, пока она остается много большей паразитных емкостей схемы и входных емкостей усилителя и ключа. [35]
Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу Основы полупроводниковой электроники, читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на 6 глав: физические основы работы p - n - перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические элементы, полупроводниковые генераторы. В начале каждой главы дается краткий теоретический материал по соответствующей теме и разбираются типичные задачи. В конце каждой главы приведены ответы для всех задач. В приложениях даны характеристики наиболее часто применяемых транзисторов и проведены трудоемкие математические расчеты. [36]
Обычно быстродействие измеряется в герцах или мегагерцах. Быстродействие триггера определяется минимально возможным интервалом между двумя запускающими импульсами. Если триггер еще не закончил переход из одного устойчивого состояния в другое, поступивший на вход запускающий импульс не вызовет нового срабатывания схемы. Время перехода схемы из одного состояния в другое складывается из трех частей - времени запуска, времени опрокидывания и времени установления. Время запуска зависит от крутизны запускающего импульса и постоянных времени цепи запуска и входа триггера. Время опрокидывания, соответствующее времени лавинообразного процесса, определяется главным образом параметрами применяемых транзисторов. Время установления является наиболее длительной частью перехода триггера из одного состояния в другое. Оно требуется для достижения установившихся значений напряжений и токов в схеме после опрокидывания и определяется в основном емкостью ускоряющих конденсаторов и сопротивлением резисторов, через которые происходит их перезаряд. [37]