Однопереходный транзистор

Cтраница 3

Статическая характеристика туннельного диода.| Однопереходный транзистор, а - устройство. б - обозначение. 8 - статическая характеристика. [31]

Однопереходный транзистор используют в схемах импульсных генераторов, например для управления тиристорами. [32]

Вольт-амперная характеристика и условное графическое изображение варистора.| Характеристики терморезистора. [33]

Однопереходный транзистор может применяться для усиления, генерации и переключения. Но по своим частотным свойствам он значительно уступает обычным биполярным транзисторам и является низкочастотным прибором. [34]

Однопереходный транзистор 2N1671 предназначен для общих промышленных применений, где наибольшее значение придается минимальной стоимости схемы. ОПТ типа IN 1671А предназначается для промышленного использования в цепях управления тиристоров и в других областях, где требуется гарантированная минимальная амплитуда импульса. [35]

Однопереходный транзистор, как всякий прибор с отрицательным дифференциальным сопротивлением, может быть использован в качестве переключателя, генератора и усилителя. При этом он может обеспечить усиление как по мощности и напряжению, так и по току. [36]

Однопереходные транзисторы ОПТ являются высокостабильными элементами, характеристики которых не изменяются при широких колебаниях температуры окружающей среды. Однако ОПТ в настоящее время еще достаточно дорогие. [37]

Кремниевые пленарные однопереходные транзисторы предназначены для работы в схемах преобразователей и реле времени. [38]

Однопереходным транзистором ( двухбазовым диодом) называется трехэлектродный полупроводниковый прибор с одним р-л-переходом. [39]

Схема релаксационного генератора на лавинных транзисторах.| Временные диаграммы напряжения коллектора и тока эмиттера. [40]

Работа однопереходного транзистора основана на модуляции сопротивления полупроводника, вызванной инжекцией носителей р-п-перехода. [41]

Структура однопереходного транзистора представляет собой кристалл высокоомного полупроводника с одним р-п переходом и двумя омическими переходами. Область с токоотводящим контактом, прилегающую к р-п переходу, называют эмиттером, а омические переходы - базами. Характерной особенностью ВАХ однопереходных транзисторов является наличие на ней участка отрицательного сопротивления, что создает благоприятные условия для их применения в импульсных генераторах, в частности в схемах формирования управляющих импульсов для включения тиристоров. [42]

Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.55. Область эмиттера ( область с электропроводностью р-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью л-типа), для того чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [43]

Однопереходный транзистор. [44]

Конструкция однопереходного транзистора схематически изображена на рис. 5.62, а. Как видно из рисунка, транзистор имеет всего один электронно-дырочный переход, включенный в прямом направлении. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5