Однопереходный транзистор
Cтраница 4
Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.59. Область эмиттера ( область с электропроводностью р-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью n - типа), для того, чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [46]
Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.55. Область эмиттера ( область с электропроводностью / 7-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью n - типа), для того чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [47]
Выключение однопереходного транзистора может быть осуществлено только уменьшением напряжения и. [48]
 |
Инвертор напряжения с переключаемыми конденсаторами. С, и С2 - внешние танталовые конденсаторы емкостью - 10 мкФ. [49] |
На управляемом однопереходном транзисторе 2N6028 собран релаксационный генератор. Его анодный вывод не проводит ток, пока напряжение на нем не превысит напряжение на управляющем электроде на величину падения на диоде; в этот момент он начинает пропускать большой ток, разряжая конденсатор. Результирующий положительный импульс на базе Т2 тянет коллектор Тг к земле, запуская схему 4098, известную под названием одновибратор ( см. разд. Тъ в этой схеме снимает выходное напряжение и отнимает часть разрядного тока у Си снижая скорость нарастания импульса преобразования энергии до величины, необходимой для поддержания требуемого выходного напряжения. [50]
В основе однопереходного транзистора лежит монокристалл полупроводникового материала ( рис. 25 а), на каждом из двух противоположных торцов которого расположены электрические контакты, а в средней части - один эмиттерный р - n - переход. К базам приложено напряжение Е в полярности, показанной на рисунке. [51]
 |
Схема для измерения тока выключения однопереходных. [52] |
Коэффициент передачи однопереходного транзистора определяется как отношение разности эмит-терного напряжения и падения напряжения на р-п-пе-реходе к приложенному межбазовому напряжению. От источника постоянного напряжения И на схему подается напряжение заданной величины. [53]
Генераторы с однопереходными транзисторами используются для формирования импульсов с частотами повторения до нескольких десятков килогерц. [54]
Чтобы вновь закрыть однопереходный транзистор ( при наличии нагрузки в цепи базы /), необходимо уменьшить эмиттерный ток до некоторого значения, называемого током выключения Эвыкл. [55]
Таким образом, однопереходный транзистор может находиться в двух устойчивых состояниях: в закрытом, которое характеризуется относительно большими сопротивлениями между различными выводами однопереходного транзистора, и в открытом ( или в состоянии насыщения), характеризующемся относительно м алыми сопротивлениями. [56]
Таким образом, однопереходный транзистор может находиться в двух устойчивых состояниях - в закрытом, которое характеризуется относительно большими сопротивлениями между различными выводами однопереходного транзистора, и в открытом ( или в состоянии насыщения), характеризующемся относительно малыми сопротивлениями. [57]
Таким образом, однопереходный транзистор может находиться в двух устойчивых состояниях: в закрытом, которое характеризуется относительно большими сопротивлениями между различными выводами однопереходного транзистора, и в открытом ( или в состоянии насыщения), характеризующемся относительно малыми сопротивлениями. [58]
 |
Виды отклонения вольт-амперных характеристик однопереходного транзистора от нормальных ( 6.| Изменение эмиттер-ной вольт-амперной характеристики при изменении hе или. [59] |
Существует также структура однопереходного транзистора с цилиндрической симметрией. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5