Пленочный транзистор
Cтраница 1
Пленочные транзисторы на горячих электронах находятся в настоящее время в стадии лабораторных исследований. Их изготовление может быть осуществлено после решения следующих задач: обеспечение контроля высот потенциальных барьеров эмиттер - база и база - коллектор, создание методов получения сплошных сверхтонких металлических пленок на поверхности пленки полупроводника и точного контроля их толщины, а также разработки методов получения эффективных коллекторов. [1]
 |
Зависимость тока исток - сток от потенциала затвора.| Энергетическая диаграмма пленочного транзистора. [2] |
Физическую основу работы пленочных транзисторов составляет эффект поля. На рис. 10.10 показана энергетическая диаграмма полупроводникового слоя в промежутке исток - затвор. При нулевом смещении в приборе, предназначенном, например, для работы в режиме обогащения, энергетические зоны должны изогнуться вверх у поверхности раздела полупроводник-изолятор. Когда затвор имеет положительное смещение, электроны направляются к поверхности раздела и вызывают понижение дна зоны проводимости относительно уровня Ферми, образуя высокопроводящий канал у поверхности полупроводника. [3]
Поскольку до сих пор не удалось создать пленочные транзисторы, пленочные ИС содержат только пассивные элементы, а в качестве активных применяют дискретные диоды и транзисторы, которые подпаивают к пленочной ИС. Такую микросхему называют гибридной, а входящие в нее дискретные компоненты-навесными. [4]
Недостатком способа являются большие технологические трудности получения стабильных пленочных транзисторов и диодов. [5]
Шот-ки ( рис. 4.10, г) и др. В пленочных транзисторах для уменьшения поглощения инжектированных электронов базу делают толщиной 0 01 - 0 02 мкм. При столь малой толщине базы пленочный транзистор обладает потенциально лучшими СВЧ-характеристиками по сравнению с биполярным транзистором. Изготовление пленочных транзисторов сопряжено со значительными технологическими трудностями. [7]
В частности, прохождение электронов через металлические пленки используется при построении пленочных транзисторов с металлической базой. [8]
Шот-ки ( рис. 4.10, г) и др. В пленочных транзисторах для уменьшения поглощения инжектированных электронов базу делают толщиной 0 01 - 0 02 мкм. При столь малой толщине базы пленочный транзистор обладает потенциально лучшими СВЧ-характеристиками по сравнению с биполярным транзистором. Изготовление пленочных транзисторов сопряжено со значительными технологическими трудностями. [9]
 |
Зависимость тока исток - сток от потенциала затвора.| Энергетическая диаграмма пленочного транзистора. [10] |
Наилучшие параметры получены в настоящее время на транзисторах, изготовленных из сульфида кадмия, селенида кадмия и теллура. В табл. 15 приведены основные параметры типичных пленочных транзисторов, изготовленных на основе различных полупроводниковых материалов. [11]
Этот способ изготовления схем позволяет получать, и в довольно широких пределах, резисторы и конденсаторы, а также небольшие индуктивности. Недостатком способа являются большие технологические трудности получения стабильных пленочных транзисторов и диодов. [12]
Этот способ изготовления микросхем позволяет получать, и в довольно широких пределах, резисторы и конденсаторы, а также небольшие индуктивности. Недостатком способа являются большие технологические трудности получения стабильных пленочных транзисторов и диодов. [13]
Принципы работы пленочного и биполярного транзисторов аналогичны. Отличие состоит в том, что в пленочных транзисторах в металлическую базу инжектируются основные носители заряда - горячие электроны. [14]
Эти два различных технологических метода являются не конкурирующими, а дополняющими друг друга. Применение дискретных активных элементов объясняется отсутствием в настоящее время эксплуатационно устойчивых пленочных транзисторов и диодов. [15]
Страницы: 1 2