Пленочный транзистор

Cтраница 2

Шот-ки ( рис. 4.10, г) и др. В пленочных транзисторах для уменьшения поглощения инжектированных электронов базу делают толщиной 0 01 - 0 02 мкм. При столь малой толщине базы пленочный транзистор обладает потенциально лучшими СВЧ-характеристиками по сравнению с биполярным транзистором. Изготовление пленочных транзисторов сопряжено со значительными технологическими трудностями. [16]

Конструкции полосковых линий. [17]

Изготовление транзистора завершается вскрытием окон под контактные площадки и формированием слоя металлизации. В последнее время для формирования структур полевых транзисторов КНС используются также маскирующие слои из нитрида кремния. Изготовленные по такой технологии пленочные транзисторы обладают хорошими электрическими характеристиками. Усилительные свойства их остаются достаточно высокими до 4 - 6 ГГц. Напряжение пробоя затвор-сток превышает 20 - 30 В; пороговое напряжение не превышает 0 6 - 0 8 В. [18]

Перспективной для микроминиатюризации электронного оборудования является пленочная электроника. Последовательно нанося на подложку из проводящего или диэлектрического материала полупроводниковые, диэлектрические и проводящие пленки различной конфигурации, можно создавать приборы и схему в одном технологическом процессе. Максимальные трудности в этом направлении в настоящее время представляет создание пленочных диодов и особенно пленочных транзисторов. [19]

При этом все соединения проводников с резисторами в такой интегральной микросхеме получаются сами собой, как бы автоматически. Конденсаторы в тонкопленочных ГИС могут быть изготовлены путем напыления на проводящую пленку диэлектрического материала, а затем снова напыления проводящей пленки. В 60 - х годах огромные усилия исследователей были направлены на создание пленочных активных элементов, однако надежно функционирующих пленочных транзисторов с воспроизводимыми параметрами получить так и не удалось. В тонкопленочных ГИС используют активные навесные полупроводниковые компоненты. [20]

В этом случае имеет место значительный ток через прибор. Вследствие изоляции затвора ( от полупроводника) его потенциал может быть сделан положительным или отрицательным без заметного потребления управляющего тока. Изменение управляющего напряжения примерно на 1 в вызывает изменение тока через прибор примерно на порядок. Пленочные транзисторы обладают высоким входным сопротивлением ( более 10 Мом), большой крутизной ( от 5 до 30 ма / в) граничной частотой около 100 Мгц. Вольт-амперная характеристика их аналогична пентодной. Они могут использоваться также в качестве диодов, если соединить затвор с истоком. [21]

Страницы: 1 2