Дополняющий транзистор
Cтраница 2
 |
Схемы инверторов на МДП-транзисторах. [16] |
Для схем на дополняющих транзисторах полярность логики зависит от последовательности включения р - и п-транзисторов. [17]
 |
Инвертор на дополняющих униполярных транзисторах.| Логический элемент ИЛИ. [18] |
Схема инвертора на дополняющих транзисторах приведена на рис. 2.54. Сигнал высокого уровня ( Д - 0), поданный на вход схемы, закрывает транзистор Т1 с каналом р-типа и открывает транзистор Г2 с каналом лг-типа. При подаче на вход напряжения низкого уровня ( 70 - Е) транзистор 7 откроется, а транзистор Г2 закроется. [19]
Для схем на дополняющих транзисторах полярность логики зависит от последовательности включения транзисторов р - и л-типов. [20]
Благодаря особенностям передаточной характеристики схемы МОП-типа с дополняющими транзисторами имеют высокую помехоустойчивость. Различные фирмы выпускают интегральные цифровые схемы такого типа, которые могут хорошо работать на частотах до нескольких мегагерц. Таким образом, МОП-схемы с дополняющими транзисторами могут с успехом применяться не только в вычислительных устройствах, но также в системах связи и измерительной аппаратуре. [21]
 |
Схема квазистатического Огтриггера на МДП-транзисторах / о-ти-па с раздельной тактировкой. [22] |
В ее состав входят три инвертора на дополняющих транзисторах и три вентиля, выполненные на МДП-транзисторах / г-типа. [23]
 |
Схемы логических элементов на МОП-транзисторах / г-типа. [24] |
Инвертор с транзисторами га - и р-типов ( дополняющие транзисторы) приведен на рис. 5.7, в. Здесь при поступлении на вход высокого напряжения открывается нижний транзистор, а верхний закрывается, и, наоборот, при поступлении на вход низкого напряжения открывается верхний транзистор, а нижний закрывается. Схемы с дополняющими транзисторами отличаются малой мощностью потребления и более высоким быстродействием, так как в цепях заряда и разряда паразитных емкостей оказываются включенными малые сопротивления открытых транзисторов. [25]
Необходимо обратить внимание на то, что применение дополняющих транзисторов в одном инверторе исключает протекание тока по цепи plt рг и пг или р4, рь и п2, так как при любом уровне сигнала на входе инвертора один из транзисторов всегда закрыт. [26]
К недостаткам схемы рис. 6.8 следует отнести необходимость в дополняющих транзисторах и ускоряющих конденсаторах Cj и С2, что представляет известные трудности при изготовлении полупроводниковых ИМС. Поэтому для реализации этой схемы используют гибридную конструкцию, содержащую дискретные бескорпусные транзисторы и тонкопленочные пассивные элементы. [27]
 |
Схема статического Di-триггера на МДПДТ. [28] |
На рисунке 3.27 приведена схема D - триггера на МДП дополняющих транзисторах. В ней также для подачи тактового сигнала используется лишь один транзистор ( р-типа) на два вентиля. Схема выполнена на основе МДПДТ, реализующих типовую функцию ИЛИ-НЕ. [29]
Когда в ИМС с транзисторами п - / г - и-типа необходимо иметь дополняющие транзисторы р - п - р-типа, приходится изыскивать другие варианты структур, обеспечивающие удовлетворительные параметры таких транзисторов. [30]
Страницы: 1 2 3