Дополняющий транзистор

Cтраница 3

Сочетание в одной микросхеме МДП-транзисторов р - и n - типов ( комплементарные или дополняющие транзисторы) позволяет осуществить наиболее экономичные электронные схемы. Изготовление комплементарных структур, как и в случае биполярных транзисторов, требует дополнительных технологических операций и несколько повышает стоимость ИМС. [31]

Регистры квазистатического типа с трехфазным и двухфазным управлением, построенные на МДП-транзисторах р-типа и дополняющих транзисторах, широко используются при проектировании цифровых устройств с параллельной и параллельно-последовательной обработкой информации. [32]

МДП-транзисторов р - и л-типов; 6 - инвертор на транзисторах п-типа; инвертор на транзисторах р-типа; г, д - инверторы на дополняющих транзисторах. [33]

Параметры различных, типов логических элементов БИС. [34]

Построение периферийных цепей ИС памяти возможно на основе ряда новых типов логических элементов, таких как эмиттерно-управляемые логические схемы ( ЭУЛ), инжекционные ( И2Л), схемы на змиттерных повторителях ( ЭПЛ), схемы на дополняющих транзисторах с постоянным источником тока ( К. [35]

Схема эмит-терного повторителя на дополняющих транзисторах.| Эмит-терный повторитель, работающий на емкостную нагрузку. [36]

Эмиттерный повторитель на дополняющих транзисторах показан на рис. 29 - 34, где Т2, Т - транзисторы р-п - р и п-р - п типов соответственно, имеющие близкие электрические характеристики. Преимущество данного эмиттерного повторителя над повторителем обычного типа можно показать с помощью рис. 29 - 35, где приведен эмиттерный повторитель, работающий на емкостную нагрузку. [37]

HC в 2 - 4 раза превышает их статическую мощность и существенно зависит от рабочей частоты ИС. В МДП-ИС на дополняющих транзисторах динамическая мощность в 10 - 103 раз превышает статическую мощность. [38]

Схемы инверторов на МДП-транзисторах. [39]

На рис. 6.7 приведены четыре варианта выполнения простейших логических элементов - инверторов для реализации функции НЕ на МДП-транзисторах. Для схем на дополняющих транзисторах полярность логики зависит от последовательности включения р - и - транзисторов. [40]

Однако разработаны некоторые типы специальных логических схем, предназначенных для работы при малой потребляемой мощности. На рис. 6.8 приведена такая транзистор-транзисторная схема И-НЕ со сложным инвертором, содержащим дополняющие транзисторы п-р-п-типа ( Tt) и p - n - p - inna. [41]

Инвертор с транзисторами га - и р-типов ( дополняющие транзисторы) приведен на рис. 5.7, в. Здесь при поступлении на вход высокого напряжения открывается нижний транзистор, а верхний закрывается, и, наоборот, при поступлении на вход низкого напряжения открывается верхний транзистор, а нижний закрывается. Схемы с дополняющими транзисторами отличаются малой мощностью потребления и более высоким быстродействием, так как в цепях заряда и разряда паразитных емкостей оказываются включенными малые сопротивления открытых транзисторов. [42]

Благодаря особенностям передаточной характеристики схемы МОП-типа с дополняющими транзисторами имеют высокую помехоустойчивость. Различные фирмы выпускают интегральные цифровые схемы такого типа, которые могут хорошо работать на частотах до нескольких мегагерц. Таким образом, МОП-схемы с дополняющими транзисторами могут с успехом применяться не только в вычислительных устройствах, но также в системах связи и измерительной аппаратуре. [43]

Зависимость проводимости. [44]

На рис. 2 даны характеристики проводимости канала n - канального транзистора в зависимости от напряжения на затворе при концентрации акцепторов в подложке 1017 см-3. Область дырочной проводимости была получена диффузией бора в материал n - типа с концентрацией доноров 1015 см-3. Такая технология используется для получения транзисторов п - и / 7-типа на одной подложке. Этот способ изготовления дополняющих транзисторов на одной подложке дает обычно несколько больший разброс параметров у структур n - типа. [45]

Страницы: 1 2 3