Дислокационная трещина

Cтраница 1

Дислокационная трещина ра ( б [ 501 ( п и по.| Схема основных форм трещин [ 47. а-пора. б - упругая трещина. s - дислокационная трещина.| Схема зарождения трещины в. [1]

Дислокационные трещины и поры образуются в результате предварительной деформации, создающей избыточную концентрацию дислокаций и вакансий в локальных объемах. [2]

Образование трещины.| Трещина, представленная как ряд краевых дислокаций.| Возникновение дислокационного механизма роста усталостной трещины. [3]

Возникновение этих дислокационных трещин и их слияние ускоряют распространение усталостных трещин. [4]

Три этапа термофлуктуационяого зарождения трещины. [5]

Модель зарождения дислокационных трещин путем образования двойных плоских скоплений ( рис. 29) была предложена Коттреллом. [6]

Возникновение нескольких дислокационных трещин при упругопластическом разрушении можно сопоставить с растрескиванием материала при потере им устойчивости вследствие сжатия: происходит множественное ветвление трещин. [7]

В элементах металлоконструкций возникают дислокационные трещины, размер которых достигает нескольких межатомных расстояний TO - Нижняя граница для / примерно равна Го, чему соответствует теоретическая прочность ое Е / ( 2к), Величина у имеет порядок у - 0 01 Его. [8]

Отметим, что на распространение дислокационной трещины влияют не только касательные напряжения, но и нормальная к плоскости трещины компонента напряжений. [9]

Тектоническими называются воды, поступающие по дислокационным трещинам. [10]

При анализе этого механизма в качестве критерия зарождения дислокационной трещины впереди магистральной трещины было принято условие безактиваци-онного слияния первых четырех дислокаций из двойного скопления. [11]

Электрические свойства образца, особенно если они были измерены при низкой температуре, могут сильно зависеть от присутствия дислокационных трещин ( см. гл. Поверхность, состоящая из линий дислокаций, ведет себя как полоска некоторого материала, пересекающая полупроводник, причем свойства ее отличаются от свойств объема кристалла. Поэтому при изготовлении образцов следует принять меры предосторожности для того, чтобы избежать таких дефектов. В антимониде индия дислокационные трещины могут возникнуть при резке, шлифовке и даже при захватывании пинцетом. Было найдено, что меньше всего таких дефектов создается при обработке образцов тонкой струей абразивной пыли; следует также избегать применения пинцета. [12]

Кристаллы соединений III-V, в частности антимо-нида индия, по-видимому, особенно подвержены тому типу дефектов, которые Аллен [7] назвал дислокационными трещинами. При комнатной температуре антимо-нид индия тверд и хрупок. Это позволяет предположить, что дислокации в этом материале неподвижны; несмотря на это, сильный сосредоточенный удар может создать полосу дислокаций длиной до нескольких миллиметров. Дислокационные трещины наблюдались также в арсениде индия, арсениде галлия и фосфиде галлия, хотя, по-видимому, в этих материалах их получить не так легко. [13]

Модель формирования усталост - ( / /. [14]

На участке II ускоренного роста усталостной трещины ( упругопластический рост) в зоне наибольшего стеснения пластической деформации возникает не одна, а несколько дислокационных трещин. [15]

Страницы: 1 2 3