Cтраница 2
![]() |
Зарождение микротрещины по механизму Коттрелла вблизи вершины макротрещины. [16] |
Перед вершиной трещины материал находится под действием сжимающих напряжений. Возникновение дислокационной трещины перед вершиной магистральной трещины ( рис. 3.26) обусловлено тем. Ориентировка полос скольжения для рассматриваемой ситуации соответствует возникновению дислокационной трещины в момент перехода от восходящей к нисходящей ветви нагрузки. [17]
От вершины дислокационной трещины, образованной предшествующим циклом нагружения, развивается затупление трещины. Оно ограничено величиной превышения уровня нагрузки предыдущего цикла нагружения. [19]
Дальше имеет место пластическое затупление. После перехода к нисходящей ветви нагрузки возникает дислокационная трещина, вращение объема отделившегося материала и окончательное формирование профиля выявленных усталостных бороздок. Принципиальная особенность выявленного профиля усталостных бороздок состоит в том, что их профиль удаляется от условно проведенной горизонтальной линии. Это указывает на существенную роль пластического затупления вершины трещины при формировании усталостных бороздок. [20]
Возникновение первого пика от ротаций на восходящей ветви нагрузки, как следующего масштабного уровня за трансляциями, следует связывать с процессами деформации материала на восходящей ветви нагрузки, поскольку, как было указано выше, раскрытие берегов трещины в пределах мезотуннеля является упругим. Второй пик АЭ сигналов от ротаций характеризует возникновение дислокационной трещины и последующее разрушение перемычки между вершиной мезотуннеля и дислокационной трещиной. Размытие пика характеризует каскад этих событий, которые происходят в разных мезотуннелях с небольшим сдвигом во времени. [21]
При взаимодействии дислокаций с кристаллической решеткой происходит процесс их торможения. При объединении одноименных ( одного знака) дислокаций зарождаются дислокационные трещины. Установлено несколько механизмов роста дислокационных трещин: хрупкий - за счет разъединения атомных плоскостей в вершине трещины; за счет точечных дефектов - поглощение вакансий или испускание внедренных атомов; пластический - за счет коррелированного поглощения дислокаций разных систем скольжения; квазихрупкий - поглощение дислокационных микротрещин; вязкий - поглощение микропор. [22]
На восходящей ветви нагрузки происходит пластическое притупление трещины, что приводит к формированию зоны вытягивания. Далее на начальной стадии нисходящей ветви нагрузки впереди притупленной вершины трещины образуются дислокационные трещины перед каждым мезотун-нелем, как это показано на рис. 3.27 г. Последующее уменьшение нагрузки приводит к образованию вторичных бороздок вследствие ротационной пластической деформации. [23]
Возникновение первого пика от ротаций на восходящей ветви нагрузки, как следующего масштабного уровня за трансляциями, следует связывать с процессами деформации материала на восходящей ветви нагрузки, поскольку, как было указано выше, раскрытие берегов трещины в пределах мезотуннеля является упругим. Второй пик АЭ сигналов от ротаций характеризует возникновение дислокационной трещины и последующее разрушение перемычки между вершиной мезотуннеля и дислокационной трещиной. Размытие пика характеризует каскад этих событий, которые происходят в разных мезотуннелях с небольшим сдвигом во времени. [24]
![]() |
Шайбы, последовательно отрезанные от монокристалла кремния через 5 мм, травленные в хромовом травителе. [25] |
Проследим теперь за поведением колец роста пустых ямок травления. Видна только дислокационная трещина. Однако при этом наблюдаются скопления пустых ямок травления в виде колец роста. [26]
При взаимодействии дислокаций с кристаллической решеткой происходит процесс их торможения. При объединении одноименных ( одного знака) дислокаций зарождаются дислокационные трещины. Установлено несколько механизмов роста дислокационных трещин: хрупкий - за счет разъединения атомных плоскостей в вершине трещины; за счет точечных дефектов - поглощение вакансий или испускание внедренных атомов; пластический - за счет коррелированного поглощения дислокаций разных систем скольжения; квазихрупкий - поглощение дислокационных микротрещин; вязкий - поглощение микропор. [27]
Исследования Брума [16] показывают, что в InSb л-типа отрицательное магнетосопротивление не является неотъемлемым свойством самого полупроводника и представляет собой лишь следствие искажения кристаллической решетки в процессе изготовления образца. PnSb очень чувствителен к дислокационным трещинам, образующимся при интенсивном локальном давлении. Эти трещины могут проходить через весь образец. [28]
![]() |
Зарождение микротрещины по механизму Коттрелла вблизи вершины макротрещины. [29] |
Перед вершиной трещины материал находится под действием сжимающих напряжений. Возникновение дислокационной трещины перед вершиной магистральной трещины ( рис. 3.26) обусловлено тем. Ориентировка полос скольжения для рассматриваемой ситуации соответствует возникновению дислокационной трещины в момент перехода от восходящей к нисходящей ветви нагрузки. [30]