Растянутая дислокация

Cтраница 2

В этом случае для одной плоскости и трех направлений имеются три системы скольжения. Наличие растянутых дислокаций в плоскости ( 0001), наблюдаемых в Со, Zn, Cd, Mg, свидетельствует о низкой энергии дефекта упаковки в этой плоскости. Для Cd и Zn оно 1 633 ( см. табл. 5), поэтому скольжение идет в базисной плоскости. Несмотря на то что для Mg и Со отношение с / а С 1 633 ( 1 62), скольжение в плоскости ( 0001) все же происходит благодаря низкой энергии дефекта упаковки. [16]

Поскольку частичные дислокации выходят из контраста в случае отражений типа ( 1120), они - типа АО, Ва, Со. Модель растянутой дислокации, имеющей предполагаемый вектор Бюргерса, представлена на фиг. Связи типа С - С не нарушаются, требуется только деформация гексагонов, чтобы снять деформацию. [17]

Края такой полосы обладают упругими свойствами дислокаций и называются несовершенными или парциальными дислокациями. Две парциальные дислокации, составляющие края растянутой дислокации этого вида, отталкиваются друг от друга с силой, обратно пропорциональной расстоянию. Поверхностное натяжение нарушения укладки препятствует этому отталкиванию, так что полоса имеет стабильную равновесную ширину. Вычисленное значение ее приблизительно равно 30 д для случая меди. [18]

Используя критерий Франка, утверждающий, что алгебраическая сумма векторов Бюргерса в узле должна быть равна нулю, показать, что возможны два типа таких узлов. Дать объяснение этим двум типам узлов, учитывая растянутые дислокации, и показать, как можно применить геометрию одного из них для измерения удельной энергии дефекта упаковки. [19]

Важнейшая характеристика металла - энергия дефектов упаковки - - сильно влияет на склонность к полигонизации. Чем меньше энергия дефектов упаковки, тем больше ширина растянутых дислокаций и труднее проходят процессы переползания и поперечного скольжения, необходимые для полигонизации. Поэтому в алюминии, имеющем высокую энергию дефектов упаковки и, следовательно, слабо расщепленные дислокации, полигонизация идет сравнительно легко. В меди она протекает труднее, а в а-латуни с низкой энергией дефектов упаковки полигонизация обычно не наблюдается. [20]

Рассмотренное явление может служить одной из причин того, что часто при пластической деформации кристаллов имеет место скольжение по плоскостям: в этом случае растяжение, которое понижает энергию в определенных кристаллографических плоскостях, заставляет присутствующие дислокации располагаться предпочтительно в таких ориентациях; кроме того, следует ожидать, что движение дислокации путем скольжения происходит легче, если она растянута. Для нас в данном случае наиболее важным фактом является то, что пороги обладают более высокой энергией в растянутых дислокациях. Следовательно, в условиях приближения к тепловому равновесию пороги будут реже и эти дислокации будут менее эффективными источниками выравнивания концентрации вакансий в кристалле. [21]

Следовательно, начальное упрочнение не может возникать за счет этих порогов. Если дислокации являются растянутыми, то упрочнение в результате взаимодействия их с диспергированными вакансиями должно быть затруднено, так как моновакансии или скопления нескольких вакансий не могут образовать порогов на растянутых дислокациях. [22]

Промежуточная. стадия пересечения плоскости дефекта упаковки растянутой дислокацией. [23]

Назовем промежуточный выступ неполным выступом, а выступ, появившийся после перерезания полной дислокацией, обычным выступом или полным выступом. Энергия неполного выступа должна быть; меньше энергии полного выступа и может быть взята равной половине. Когда растянутая дислокация носит винтовой характер и параллельна плоскости, содержащей дефект упаковки, образуется иной тип промежуточного выступа, а при прохождении следующей неполной дислокации выступ исчезает вовсе. И в этом случае считают, что энергия промежуточного выступа составляет около половины энергии полного выступа. [24]

Влияние водорода на параметры решетки а-сплава ВТ5Л ( Л и fl - сплава ВТ15 ( Б. [25]

В металлах могут также возникать атмосферы Сузуки, связанные с различной растворимостью чужеродных атомов внутри дефекта упаковки и вне его. Различие в растворимости не связано с энергией упругого взаимодействия, а имеет термохимическую природу. Взаимодействие формально описывается как эффективная энергия связи примесных атомов с растянутой дислокацией. [26]

Рассматривая дислокационную природу скольжения, следует иметь в виду многообразие конкретных видов движения дислокаций. Выше были рассмотрены простейшие случаи движения винтовой краевой и смешанной дислокаций, описаны особенности движения и пересечения растянутых дислокаций, дано описание генерации источника Франка-Рида. Рассмотрено двойное поперечное скольжение. Ниже, подчеркивая разнообразие видов движения ( скольжения) дислокаций, дается описание движения дислокаций с порогами, с помощью парных перегибов, с особыми точками и пр. [27]

Схема заторможенной частичной дислокации. [28]

Полная дислокация, по-видимому, может распадаться на две частичные дислокации, образуя так называемую растянутую дислокацию. Между двумя частичными дислокациями одного знака на границах дефекта упаковки действуют силы отталкивания. Так как увеличение протяженности дефекта упаковки противоречит условию минимума энергии системы, то дефект упаковки имеет стабильную ширину, называемую шириной растянутой дислокации. Величина этого параметра зависит от энергии растянутой дислокации, увеличиваясь с уменьшением энергии. В металлах с низким уровнем энергии дефекта упаковки, например в аусте-ните, имеется большое количество растянутых дислокаций. [29]

Сходным случаем, реальность которого вряд ли может быть поставлена под сомнение, хотя и отсутствует непосредственное экспериментальное наблюдение, можно считать образование дислокацией нарушения в кристалле в виде полосы, лежащей в определенной кристаллографической плоскости, а не в виде полой трубки. Впервые этот случай был рассмотрен Шокли и Гейденрейхом [26] для плотноупакованных металлов. Причиной его является многообразие плотнейших упаковок сфер, причем все они представляют различные укладки плотноупакованных слоев. Общие условия образования растянутых дислокаций даны Фрэнком [5], а Фрэнк и Николас [27] рассмотрели различные возможности в наиболее простых кристаллических решетках. Растянутые дислокации образуются обычно тогда, когда имеются такие плоскости в кристалле, что относительное смещение двух половин кристалла с обеих сторон такой плоскости на долю межплоскостного расстояния переводит их вновь в положение метастабильного равновесия. [30]

Страницы: 1 2 3