Скользящая дислокация

Cтраница 2

Границы двойников могут действовать как барьеры для скользящих дислокаций. Кроме того, при пересечении скользящих дислокаций с границами двойников могут образовываться двойникующие дислокации и распространяться новый двойник. Последний механизм образования новых двойников наиболее вероятен в кристаллах с высокой симметрией. [16]

Все логически возможные комбинации представлены на рис. 45; скользящие дислокации имеют везде один и тот же вектор Бюргерса, а петли последовательно принимают все возможные векторы Бюргерса. В трех случаях ( рис, 45, а, в, д) петля отталкивает приближающуюся частичную дислокацию. [17]

Сильно взаимодействуют друг с другом также сидячие дислокационные петли и скользящие дислокации. Такое взаимодействие, вероятно, в значительной мере ответственно за упрочнение, обусловленное базисным скольжением. Возможные виды взаимодействия между петлями и скользящими дислокациями схематически представлены на фиг. В случае а приближающаяся дислокация отталкивается петлей, тогда как в случаях бив происходит реакция, в результате которой дислокация закрепляется. В последнем примере по дислокационной петле проходит частичная дислокация с вектором Бюргерса оВ, которая меняет упаковку внутри петли. [18]

Схемы дислокационных механизмов образования субмикротрещин. [19]

Согласно простейшей модели Стро-Мотта перед различными препятствиями образуются плоские скопления скользящих дислокаций, что приводит к сильной концентрации напряжений, достаточной для образования трещины. [20]

Двойникующие дислокации 6В, обра - [ IMAGE ] Схема реакции двои-зованные при скольжении дислокаций позади никовой границы, составлен-барьера Ломер-Коттрелла в г. ц. к. кристалле. ной из краевых дислокаций. [21]

Одним из объяснений механизма двойникования может служить концепция испущенных или эмиссионных скользящих дислокаций. [22]

Призматические петли переползают в боковом направлении под действием напряжений, создаваемых скользящей дислокацией. [23]

Из анализа следует, что каждый класс субструктуры определяет свой уровень торможения скользящей дислокации, в основе которого в каждом случае лежит свой набор механизмов, нередко со вкладами, не зависящими даже от скалярной плотности дислокаций. Таким образом, наиболее важным структурным уровнем в закономерностях формирования напряжения течения является уровень дислокационного ансамбля. [24]

Релаксация напряжений в поликристаллах меди при еп, %. [25]

Предположим, как мы это уже делали при расчете скорости ползучести, что скользящие дислокации перерезают только дислокации леса. [26]

Характер деформирования направленных эвтектических композитов зависит от особенностей деформации обеих фаз и от взаимодействия скользящих дислокаций с приповерхностной зоной. Модели деформирования этих материалов будут обсуждаться для двух основных групп эвтектических сплавов: таких, где и матрица, и упрочняющая фаза могут пластически деформироваться, и таких, где пластически деформируется только матрица. [27]

Кроме того, в этих условиях ускорение зонного старения может быть также результатом генерирования вакансий порогами скользящих дислокаций. [28]

Согласно предположению, сделанному ранее, величина напряжения течения кристалла почти равна обратному напряжению, которое оказывают скользящие дислокации на действующий источник, по крайней мере на ранней стадии деформирования. Поэтому количество дислокационных петель п которые эмиттиру-ются источником при различных значениях приложенного напряжения та, были подсчитаны из рис. 66 приравниванием та к значению т G в положении активного источника и нанесены на график в функции от. [29]

Дефекты упаковки вычитания ( а и внедрения ( 6 в г. ц. к. решетке. Ь - - вектор Бюргерса дислокации Франка. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5