Скользящая дислокация

Cтраница 5

Два приповерхностных источника дислокаций 5 - и 50, расположенные на параллельных плоскостях скольжения на расстоянии dj друг от друга ( а и величина Tf, ( dj, D источника на поверхности, отнесенная к аналогичной величине для источника внутри кристалла, в зависимости от расстояния источника от поверхности ( б. [61]

Если принятые выше допущения верны, то кривая на рис. 68 показывает, что высота ступенек скольжения непостоянна, так как линии скольжения должны рассматриваться как следы скользящих дислокаций, испускаемых источниками, которые находятся на расстоянии от 0 до R от поверхности. Величина R, исходя из значений длины линий скольжения, полученных Мадером [377], может быть от 0 до 20 мкм. Таким образом, можно предполагать, что линии скольжения с высокими ступеньками порождены поверхностными источниками, а с более низкими - источниками в объеме кристалла. [62]

Излишне детально останавливаться на отличиях в представлениях школ В. И. Трефилова и В. В. Рыбина - они очевидны. Если эволюция ячеистой структуры при увеличении е может, по мнению авторов [19], приводить к возрастанию разориентировки областей за счет постепенного развития упрочнения ( просто налипания скользящих дислокаций), то В. В. Рыбин и его ученики связывают это прежде всего с неоднородностью, гетерогенностью процесса вследствие коллективного поведения дислокаций, появлением и движением дефектов дисклинационного типа. [63]

Изменение параметра а в зависимости от расстояния источника дислокаций от поверхности D, отнесенного к расстоянию от источника до препятствия R т [. [64]

Из рис. 68, б видно, что и в данной модели источники в поверхностной области могут способствовать предпочтительной деформации по сравнению с внутренними источниками даже при действии более низких напряжений. Дислокации, генерируемые поверхностными источниками, могут преодолевать препятствия более легко, чем внутри кристалла, и скользить на большее расстояние от источника по сравнению с дислокациями от внутренних объемных источников благодаря тому, что эффективные толкающие напряжения скользящих дислокаций более высокие в поверхностной области. Это обстоятельство приводит к росту плотности активных источников в поверхностной зоне и снижению расстояния между активными плоскостями скольжения. [65]

Хирта, пересечение двойника скользящей дислокацией может быть причиной роста ( или сокращения) двойника. Вследствие того что расщепляющиеся дислокационные реакции, возникающие при этом, энергетически не выгодны, рост двойника может происходить только при более значительных по сравнению со скольжением внешних приложенных напряжениях. Скользящие дислокации, взаимодействуя с двойником, может расширить или сузить его границы, преломившись, пройти сквозь двойник, оставив на нем изгибы и ступеньки. В том случае, когда дислокационные реакции, связанные с этими явлениями, не имеют места, граница двойника должна действовать как барьер, в результате чего образуются скопления скользящих дислокаций, которые приводят к сильному упрочнению и последующему разрушению. [66]

Страницы: 1 2 3 4 5