Другая дислокация
Cтраница 1
Другие дислокации под действием этой силы переползают. Как только дислокация преодолеет путем переползания путь А, освободится и заметет площадь S, описанный процесс тотчас повторяется. [1]
Другие дислокации, которые часто встречаются в кристаллах, называются спиральными. Их схемы показаны на рис. 6.7. Здесь решетка разбита на два блока, один из которых своей частью как бы соскользнул на один период по отношению к свседнему. Наибольшие искажения сосредоточены около оси. Область, примыкающая к этой оси, и называется спиральной дислокацией. [2]
При этом скольжение других дислокаций еще больше затрудняется и прочность повышается. [3]
Сидячая дислокация как бы блокирует движение других дислокаций, являясь стопором для их движения. Отсюда следует, что взаимодействие дислокаций может мешать процессу их движения. [4]
 |
Последовательные стадии источника Франка-Рида. [5] |
Дислокация при своем движении может встретить препятствия в виде других дислокаций, расположенных вне данной плоскости скольжения. Тогда линия пересеченной дислокации ломается с образованием так называемых порогов. [6]
Предполагается, что взаимодействия дислокации с кристаллической решеткой и другими дислокациями малы. Поэтому в отсутствии внешних напряжений дислокация линейна. [8]
Напряжения, создаваемые одной прямолинейной дислокацией ( и действующие на другую дислокацию), убывают обратно пропорционально расстоянию от нее. Поэтому напряжение, создаваемое в точке х дислокацией, находящейся в точке х, имеет вид bDI ( x - х, где D - постоянная порядка величины упругих модулей кристалла. [9]
Напряжения, создаваемые одной прямолинейной дислокацией ( и действующие на другую дислокацию), убывают обратно пропорционально расстоянию от нее. Поэтому напряжение, создаваемое в точке х дислокацией, находящейся в точке ж7, имеет вид bD / ( x - ж7), где D - постоянная порядка величины упругих модулей кристалла. [10]
Напряжения, создаваемые одной прямолинейной дислокацией ( и действующие на другую дислокацию), убывают обратно пропорционально расстоянию от нее. Поэтому напряжение, создаваемое в точке х дислокацией, находящейся в точке х, имеет вид bDl ( x - х), где D - постоянная порядка величины упругих модулей кристалла. [11]
Этот член TOG появляется в результате дальнодействующего упругого взаимодействия с другими дислокациями или с границами зерен. Вполне вероятно, что этот член является аддитивной величиной и для напряжений другого происхождения. Предел текучести, обусловленный перерезающими дислокациями, отличается от предела текучести, обусловленного петлями, но им можно пренебречь, потому что среднее расстояние между дислокациями намного больше, чем расстояние между петлями. [12]
Уравнение справедливо для краевой дислокации, переползающей на некоторое расстояние от других дислокаций. [13]
При пересечении двух дислокаций длина ступеньки или перегиба на одной дислокации равна вектору Бюргерса другой дислокации. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5