Другая дислокация

Cтраница 2

В монокристаллах чистых металлов дислокации тормозятся за счет силы трения решетки, упругого взаимодействия с другими дислокациями, образования ступенек ( порогов) при пересечении дислокаций я точечных дефектов, образующихся при движении дислокаций с порогами. [16]

Краевые дислокации ( т - вектор сдвига. [17]

Дислокационные линии не обрываются внутри кристалла, они выходят на его поверхность, заканчиваются на других дислокациях или образуют замкнутые дислокационные петли. [18]

Дислокации не обязательно должны располагаться в плоскостях скольжения - они могут отходить от них, соединяться с другими дислокациями и образовывать пространственную сетку ( фиг. [19]

Таким образом, из рис. 63 следует, что дислокация, расположенная вблизи свободной поверхности, будет позволять другим дислокациям более близкое по отношению к ней прохождение при одном и том же приложенном напряжении, чем это было бы возможно в объеме кристалла. Образование в течение стадии I debris - слоя, как предложено Крамером, по-видимому, есть логический результат вышеприведенного рассуждения. Необходимо отметить, что этот слой высокой плотности дислокаций имеет ту же самую энергию напряжений на единицу объема, как и поле напряжений в объеме кристалла. Восстановление стадии I посредством удаления поверхностного слоя электрополированием является именно результатом удаления высокой плотности дислокаций вблизи поверхности и последующего образования поверхностного слоя, имеющего ту же самую плотность, что и объем кристалла. [20]

Зависимость положения максимума выделения энергии Д. при отжиге меди, предварительно деформированной кручением от температуры. [21]

Движению дислокаций препятствуют границы зерен, частицы второй фазы, концентрационные неоднородности, структурные несовершенства ( в частности, другие дислокации), флуктуации в решетке, связанные с неравномерным распределением энергии или примесей. [22]

Винтовые дислокации, по-видимому, могут переходить из своей плоскости скольжения на другую под действием локальных напряжений, вызванных другими дислокациями. В плоскости скольжения были обнаружены весьма вытянутые дислокационные петли. Винтовые дислокации перемещаются на значительно меньшие расстояния, чем краевые. Они довольно часто выходят из своей плоскости скольжения, что согласуется с данными наблюдений на верхних гранях кристалла. [23]

Этот метод основывается на том, что при увеличении числа дислокаций перемещение данной дислокации в плоскости скольжения, пронизанной многими другими дислокациями, сильно затруднено. Другим способом торможения движения дислокаций является их закрепление путем растворения в материале посторонних атомов ( что используется, например, при легировании металлов) или введения мелких частиц другой фазы. В первом случае торможение объясняется тем, что растворимость и, следовательно, концентрация инородных атомов вблизи дислокаций всегда выше, чем в неискаженной части кристалла. Чтобы оторвать дислокацию от облака растворенных атомов, необходимо затратить определенную энергию. Поэтому для пластической деформации кристалла, в котором дислокации закреплены облаками растворенных атомов, требуются более высокие напряжения, что равнозначно упрочнению материала. Наличие мелкодисперсных частиц другой фазы в материале ( например, карбида железа в железе) также тормозит движение дислокаций, ибо требует дополнительной энергии, чтобы дислокация при движении могла прорваться между частицами. [24]

В процессе пластической деформации движению дислокаций препятствует ряд факторов, важнейшими из которых являются: 1) поля напряжений, созданные другими дислокациями; 2) границы субзерен и зерен, атомы растворенных веществ, частицы других фаз и поверхностные пленки. [25]

Измэнение реологического состояния в зависимости от температуры материала с учетом движения дислокаций с атмосферой чужеродных атомов в кристаллической решетке металла. [26]

Естественно, движение дислокаций определяется не только взаимодействием их с чужеродными атомами и типом структуры материала, но также и необходимостью пересекать другие дислокации и прочие стабильные дефекты структуры. [27]

Для объяснения самопроизвольного превращения на чередующихся плоскостях решетки в большом объеме Зегер предположил, что движущиеся частичные дислокации в результате пересечения с другими дислокациями закономерно переходят из одной плоскости в другую, параллельную первой. [28]

На рис. 12.14 изображен дислокационный сегмент ( отрезок) PQ чисто краевой дислокации, закрепленной в точках Р и Q либо пересечением с другими дислокациями, либо примесями. Подчеркнем, что дислокация только закреплена в точках Р и Q, но не обрывается в этих точках. При этом дислокация PQ лежит в плоскости скольжения, а другие части данной дислокации в этой плоскости не лежат. Под действием скалывающего напряжения т, параллельного вектору Бюргерса и перпендикулярного к линии PQ, дислокация изгибается и перемещается так, что часть кристалла, которая находится над плоскостью рисунка, сдвигается относительна той части, которая находится под плоскостью рисунка. [29]

Напряжения, препятствующие движению дислокаций ( кроме сопротивления кристаллической решетки), возникают за счет взаимодействия дислокаций с различными препятствиями, в том числе с другими дислокациями. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5