Отрицательная дислокация

Cтраница 1

Отрицательная дислокация ( рис. 260, б) соответствует случаю, когда верхняя половина кристалла растянута, нижняя сжата. Тут же на рисунке показаны значки, которыми изображают положительную и отрицательную дислокации. Поэтому не имеет смысла говорить о знаке дислокации, если эта дислокация одна: знак существен, если рядом есть другая дислокация. Силы упругого взаимодействия между дислокациями ( см. § 60) зависят от знака дислокации: одноименные дислокации отталкиваются, разноименные притягиваются. [1]

Различие между положительной и отрицательной дислокацией чисто условное. Переворачивая кристалл, мы превращаем отрицательную дислокацию в положительную. Знак дислокации важен при анализе их взаимодействия. [2]

Если ( следуя Тэйлору) различать положительные и отрицательные дислокации, то это положительная, отрицательная и снова положительная, считая слева направо. Полоса между двумя последними имеет три лишних пузырька, что можно увидеть, если смотреть вдоль рядов в горизонтальном направлении. Это можно рассматривать как предельный случай положительной и отрицательной дислокаций в соседних рядах, когда сжатые стороны дислокаций находятся друг против друга. [3]

Схема образования полос деформации ( полос сброса путем взаимного торможения групп разноименных дислокаций.| Вторичное скольжение. [4]

При этом скопления положительных дислокаций выстраиваются в один вертикальный ряд, а скопления отрицательных дислокаций - в другой вертикальный ряд, параллельный первому. Образуется полоса деформаций ( описывается механизм движения дислокаций из основного участка кристалла к полосе деформации, а не наоборот, как при образовании полосы сброса), по одну сторону которой располагаются положительные дислокации, а по другую - отрицательные. При быстром подходе дислокаций по такой схеме можно предположить, что в переориентированной области возникают существенные сдвиги и элементами приспособляемости к ним может быть образование изогнутых областей ADE и СВР ( см. рис. 86) с частичным распределением дислокаций в этих зонах и уменьшением их концентраций в стенке. В отличие от полос сброса, связанных с искривлением действующих плоскостей скольжения, наблюдается незакономерный поворот кристаллической решетки с образованием полос, в которых происходило скольжение по системе плоскостей, отличной от системы, по которой осуществлялось скольжение в остальных частях кристалла. [5]

Схема нагружения и крепления кристалла ( 7 - кристалл кальцита, 2 -зажимы., 3 - тяга, 4 - двойник. а - двойник из прямолинейных отрезков винтовых двойникующих дислокаций, б - двойник из прямолинейных отрезков краевых двойникующнх дислокаций, в - двойник из прямолинейных отрезков винтовых двойникующих дислокаций внутри кристалла. [6]

На образцах с большой протяженностью вдоль плоскости двойникования удалось образовать и удержать в равновесии двойник, оба конца которого находятся внутри кристалла. При этом положительные и отрицательные дислокации находятся по разные стороны от места их зарождения. [7]

Пространственная модель образования винтовой дислокации EF в результате неполного сдвига по плоскости Q ( а п расположение атомов в области винтовой дислокации ( б. [8]

Различие между положительной и отрицательной дислокациями чисто условное. Переворачивая кристалл, мы превращаем отрицательную дислокацию в положительную. Знак дислокации важен при анализе их взаимодействия. [9]

Пространственная модель образования винтовой дислокации EF в результате неполного сдвига по плоскости Q ( а и расположение атомов в области винтовой дислокации ( б. [11]

Под действием сдвигового напряжения в кристалле возникают попарно положительные и отрицательные дислокации. Чем больше напряжение, тем больше дислокаций возникает, причем положительные и отрицательные дислокации располагаются в кристалле подобно тому, как в ионном кристалле располагаются положительные и отрицательные ионы. Так возникает решетка дислокаций. [13]

Это означает, что наряду с линейными участками дислокации появятся винтовые и смешанные. В искривленной дислокации вблизи точек ее закрепления возникают участки линейных отрицательных дислокаций, у которых экстраплоскость расположена под плоскостью скольжения. [14]

Как видно из приведенной схемы, направление пластического сдвига параллельно направлению движения краевой дислокации. Заметим, что одно и то же смещение одной части монокристалла относительно другой вдоль плоскости скольжения создается противоположным смещением положительных и отрицательных дислокаций. [15]

Страницы: 1 2 3