Отрицательная дислокация

Cтраница 2

Чтобы сделать процесс пластической деформации наглядным, Тэйлор предполагает, что скольжение в кристалле начинается из хаотически расположенных центров и вызывается тепловым движением, причем Тэйлором делается различие между положительными и отрицательными дислокациями. Под действием касательных напряжений дислокации перемещаются по плоскостям решетки на некоторое среднее расстояние, останавливаясь у границ нарушения. Это среднее проходимое дислокацией расстояние представляет существенный параметр в теории Тэйлора. На основании ряда наблюдений можно, по-видимому, принять, что границы нарушений располагаются в кристаллах через определенные правильные интервалы. Предполагается, иными словами, что скольжение происходит на ограниченных участках. Эта теория приводит к параболической зависимости между касательными напряжениями т и пластическим сдвигом f ( см. стр. Она объясняет также и причину изменения величины касательных напряжений т т в различных точках пространства высокими значениями напряжений т, возникающих из центров дислокаций, задерживающихся на внутренних границах нарушений. [16]

Для перемещения дислокации на одно межатомное расстояние необходима очень небольшая перестройка атомов на расстояния, значительно меньшие межатомных расстояний. Следовательно, для перемещения дислокации требуется меньшее усилие, чем для смещения атомов из их устойчивого положения в решетке без дислокаций. Направление движения положительных и отрицательных дислокаций противоположное; они движутся навстречу друг другу. Перемещаясь, дислокация вызывает смещение всех атомов вдоль плоскости скольжения, и при выходе дислокации на поверхность кристалла образуется ступенька. Число дислокаций очень велико: для отожженных металлов на 1 см2 приходится 107 - 108 дислокаций. [17]

Пространственная модель образования винтовой дислокации EF в результате неполного сдвига по плоскости Q ( а и расположение атомов в области винтовой дислокации ( б. [18]

Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокацию называют положительной и обозначают L ( рис. 9, в), а если в нижней - то отриц а. Различие между положительной и отрицательной дислокациями чисто условное. Переворачивая кристалл, мы превращаем отрицательную дислокацию в положительную. Знак дислокации важен при анализе их взаимодействия. [19]

Взаимодействие дислокаций противоположных знаков, расположенных в двух параллельных плоскостях скольжения. [20]

При рассмотрении взаимодействия дислокаций можно считать дислокацию изолированной, если ближайшая дислокация противоположного знака находится не ближе 10: i межатомных расстояний. Две параллельные плоскости скольжения, находящиеся на расстоянии Ls одна от другой и содержащие дислокации противоположного знака, показаны на рис. 84, а. Положительная дислокация, перемещаясь вправо, приближается к отрицательной дислокации. [21]

В результате под влиянием напряжения дислокация не сможет двигаться вся целиком, а будет выгибаться, так как две точки ее оказываются неподвижными. Это означает, что наряду с линейными участками дислокации появятся винтовые и смешанные. В искривленной дислокации вблизи точек ее закрепления возникают участки линейных отрицательных дислокаций, у которых экстраплоскость расположена под плоскостью скольжения. [22]

Последнее связано с тем, что в процессе образования двойника область выхода плоскости двойникования на поверхность кристалла может быть подвергнута искажениям недислокационного типа. В силу закона сохранения вектора Бюргерса одновременно рождаются дислокации противоположного знака, причем число положительных дислокаций равно числу отрицательных. Будем считать внешнюю нагрузку такой, что под ее действием отрицательные дислокации выходят на поверхность кристалла, создавая на ней характерную ступеньку, а положительные перемещаются в область OQ х L, где создают двойниковый клин. [23]

Под действием сдвигового напряжения в кристалле возникают попарно положительные и отрицательные дислокации. Чем больше напряжение, тем больше дислокаций возникает, причем положительные и отрицательные дислокации располагаются в кристалле подобно тому, как в ионном кристалле располагаются положительные и отрицательные ионы. Так возникает решетка дислокаций. [24]

Образование субзерен в рамках теории дислокаций объясняется тем, что одноименные дислокации при нагреве выстраиваются в стенки; при этом уменьшаются внутренние напряжения. Возможна следующая модель этого процесса. В кристалле, изогнутом с постоянным радиусом кривизны, параллельно оси изгиба, могут возникать как положительные, так и отрицательные дислокации с различной плотностью. [25]

Образование краевых дислокаций вызвано присутствием в кристаллической решетке неполных кристаллографических плоскостей. Такие полуплоскости, не имеющие продолжения в нижней или верхней частях кристаллической решетки, называются экстраплоскостями. Краевая дислокация представляет собой область упругих искажений, проходящих вдоль края экстраплоскости. Различают положительные и отрицательные дислокации. [26]

Эти два вида дислокаций ( положительные и отрицательные) вызывают появление ямок травления различной глубины на одной и той же поверхности кристалла. На одной и той же оптической микрофотографии они проявляются как светлые и темные ямки. Можно даже заключить, какая сторона плоскости скольжения является сжатой стороной, а какая растянутой. Причины различной скорости травления положительных и отрицательных дислокаций в настоящее время еще не очень понятны. [27]

На рис. 12.13 показано движение положительной дислокации. Дислокация называется положительной, если в верхнем ряду на один атом больше, чем в нижнем. Если же в верхнем ряду на один атом меньше, чем в нижнем, то дислокация называется отрицательной. Повернув рис. 12.13 на 180, получим картину скольжения при движении через кристалл отрицательной дислокации. [28]

Схема образования границы зерна. [29]

Существенно, что на участках, где дислокация движется в направлении скалывающего напряжения ( направление показано стрелками на дислокации), дислокация остается краевой. На участках, где это движение перпендикулярно к направлению скалывающего напряжения, возникают участки винтовой дислокации. Это движение будет расширять дислокационную петлю, как это показано на рис. 86, г. Из рассмотрения этой схемы вытекает важный вывод - часть дислокаций движется в сторону, обратную направлению сдвига. Это объясняется тем, что знак дислокаций в этих областях меняется и экстраплоскость возникает под плоскостью скольжения и отрицательная дислокация движется в сторону, обратную положительной. [30]

Страницы: 1 2 3