Триглицинсульфат
Cтраница 1
Триглицинсульфат принадлежит к моноклинной сингонии и при температурах ниже 49 С представляет собой сегнетоэлек-трик. В кристаллах, выращенных из водных растворов, обычно присутствуют двойники. В поляризованном свете двойники не наблюдаются, потому что оптические оси должны быть параллельными по обе стороны двойниковой границы. [1]
Триглицинсульфат имеет низкое значение q - 0 012 эл. Это означает, что в ТГС спонтанный электрокалорический эффект мал, а внешнее поле слабо влияет на температуру фазового перехода. [2]
Триглицинсульфат - сегнетоэлектрик, имеющий химическую формулу ( CH2NH2COOH) 3H2SO4, его точка Кюри ГС47 С, насыщенное значение спонтанной поля-ризованности - 2 2 - 10 - 2 Кл / м2, пьезоэлектрические коэффициенты довольно высоки, поэтому возможно и пьезоэлектрическое применение. [3]
Для триглицинсульфата также характерен резкий пик диэлектрической проницаемости в области фазового перехода. Это и понятно, так как в таких кристаллах фазовый переход связан не со смещением частиц в направлении оси спонтанной поляризации, а с упорядочением элементов структуры в перпендикулярном к оси спонтанной поляризации направлении. Поляризация в направлении оси РСд ( оси b для ТГС и оси а для сегнетовой соли, ( рис. 45) оказывается ненасыщенной, что в свою очередь не приводит к столь резкому ( как в ВаТЮ3) снижению е после возникновения в Рсп сегнетоэлектрической области. [4]
Кристаллы триглицинсульфата обнаруживают высокие оптические параметры и широко применяются в электрооптике. [5]
Кроме кристалла триглицинсульфата, в качестве материала для тандела можно использовать кристаллы триглицинфторберил-лата, триглицинселената, титаната бария и его твердых растворов ( в виде керамики) и пр. [6]
Поскольку сегнетоэлектрические свойства триглицинсульфата проявляются в направлении полярной оси кристаллов, перпендикулярно которой проводилось декорирование, то можно прийти к заключению, что активные центры на поверхности триглицинсульфата являются полярными. Ориентация активных центров вдоль полярной оси кристаллов выше точки Кюри представляет собой весьма неравновесное состояние. Дальнейший прогрев кристаллов при 100 - 120 С приводит уже к равномерному зародышеобразованию серебра, которое обусловлено, вероятно, дезориентацией активных центров. При охлаждении кристаллов ниже точки Кюри дефектная структура поверхности триглицинсульфата восстанавливается постепенно, тогда как доменная структура образуется сразу. Старение кристаллов при комнатной температуре сопровождается как изменением доменной структуры, так и новым распределением активных центров. Взаимодействие доменной и дефектной структур включает ориентацию активных центров под влиянием электрической поляризации доменов, а сами активные центры в свою очередь предопределяют возникновение той или иной доменной структуры. [7]
 |
Строение молекул глицпна в структуре гидрохлорида диглицина. [8] |
Некоторые соли глицина, такие как триглицинсульфат ( 3 гли - E SO [45, 46] и изоморфные ему соединения - триглицинселе-нат ( 3 гли - ШЗО [47, 48], триглицинфторбериллат ( 3 гли - H2BeF4) [46], а также гли МпС12 2Н20 [49] и гли AgN03 [50] проявляют ярко выраженные сегнетоэлектрические свойства. [9]
На рис. 26, а приведена моноклинная элементарная ячейка триглицинсульфата ( ТГС) в параэлектрической модификации. [10]
В ряде сегнетоэлектриков ( сегнетова соль, дигидро-фосфат калия, триглицинсульфат и др.) возникновение спонтанной поляризации есть результат упорядочения определенных элементов структуры. Очевидно, для таких сегнетоэлектриков ни рассмотрение поляризуемо-стей, ни рассмотрение колебаний решетки не даст нужных результатов при описании их фазовых переходов. [11]
Сравнение выявленной структуры поверхности Сколов НБС с доменной структурой сегнетоэлектрического триглицинсульфата ( ТГС), подробно исследованной методами декорирования в [62], показало, что линзо - и сигарообразная форма электрически заряженных областей кристалла НБС подобна по форме доменам в ТГС. Размеры этих областей соизмеримы с размерами доменов ТГС и составляют порядка нескольких десятков микрон. Расположение заряженных областей носит регулярный характер: они вытянуты в направлении сегнетоэлектриче-ской оси. Однако на сколах НБС не наблюдается характерной текстуры антрахинона, присущей доменам разного знака. Следует отметить, что заряженные области сколов НБС окаймлены нейтральными участками, на которых не происходит кристаллизации декорирующего вещества. [12]
В качестве чувствительных элементов этих приемников используют сегнетоэлектрические кристаллы, например триглицинсульфат. Чувствительный слой приемника получают нанесением вещества толщиной 0 1 мм на медную подложку. [13]
В качестве модельных кристаллов с известной электрической структурой были использованы кристаллы триглицинсульфата, доменная структура которых контролировалась травлением. [14]
Класс 2 ( 4 %) - сегнетова соль; сегнетоэлектрики: триглицинсульфат ( ТГС), триглицинселенат ( ТГСе) и изоморфные им кристаллы; винная кислота, сахар, сульфат лития, этилендиамин-тартрат ( ЭДТ); аскорбиновая кислота. [15]
Страницы: 1 2 3