Cтраница 1
Частичные дислокации образуются при диссоциации полных. [2]
Частичные дислокации не могут скользить в обычном смысле. Их движение связано с диффузией дефекта. Все это в значительной степени должно отражаться на электрических свойствах кристалла. [3]
Частичная дислокация ссВ прогнется вниз под действием линейного натяжения дислокации DaaC в плоскости а, как показано на фиг. Сжатые узлы, указанные на фиг. В конце концов получается плоская конфигурация ( фиг. В растянутых узлах, по-видимому, содержится, дефект упаковки вычитания. [4]
Частичные дислокации упруго отталкиваются, стремясь расширить полосу дефекта упаковки ( при этом затрачивается энергия), пока не достигается равновесная ширина, которая обратно пропорциональна энергии дефекта упаковки. [6]
![]() |
Схема заторможенной частичной дислокации. [7] |
Частичные дислокации с векторами Бургерса, лежащими в плоскости дефекта упаковки, имеют характер дефектов, показанных на рис. 105, и образуются при скольжении. [8]
Частичная дислокация, заторможенная описанным способом, может перемещаться только путем медленной диффузии благодаря наличию вакансий или растворенных атомов внедрения. Движение скольжения отдельной частичной дислокации затруднено, так как такая дислокация представляет собой дефект упаковки. Движение пары частичных дислокаций, перемещающихся одна за другой, встречает меньше препятствий, так как между этими двумя дислокациями имеется только полоса с дефектом упаковки ограниченной ширины. [9]
![]() |
Векторы Бюргерса в г. ц. к. решетке. [10] |
Частичные дислокации имеют вектор Бюргерса меньше трансляционного вектора решетки. [11]
Частичная дислокация последовательно проходит каждую параллельную плоскость, образуя двойник. [13]
Частичные дислокации не могут скользить в обычном смысле. [14]
Частичная дислокация N не содержит полуплоскости и соединяет дефект упаковки ( или слой двойника) слева с совершенной решеткой справа. [15]