Частичная дислокация

Cтраница 4

В области между этими частичными дислокациями оказывается нарушенным порядок упаковки, как это показано на фиг. [46]

Призматические петли, окаймленные частичными дислокациями, возникают в результате изменения положения полуплоскости внутри решетки. Рассмотрим сначала включение части плоскости с в виде диска, как это имеет место в случае, когда промежуточные плоскости выпадают. [47]

Дислокации, которые диссоциируют на частичные дислокации, были впервые выявлены в нержавеющей стали [305, 306], а после этого в сплавах Си - А1 [317-319], Ni - Со [320] и во многих слоистых структурах. В слоистых структурах часто наблюдается политипизм. Это указывает на то, что разница в энергии различных кристаллографических упаковок мала или, другими словами, мала энергия дефекта упаковки у. Этим-то в основном и объясняется то, что полные дислокации обычно широко расщепляются на частичные. Кроме того, полоски располагаются строго параллельно плотно упакованным базисным плоскостям и поэтому частичные дислокации с большей вероятностью расходятся на равновесное расстояние друг от друга, поскольку влияние поверхности сравнительно невелико. [48]

Дислокации Шокли - неполные или частичные дислокации. При их движении сдннг происходит иа величину меньше Ь - см. Двойникование. [49]

Дислокации Шокли - неполные или частичные дислокации. При их движении сдвиг происходит на величину меньше Ъ - см. Двойникование. [50]

Дислокации Шокли - неполные или частичные дислокации. При их движении сдвиг происходит ИЕ величину меньше Ь - см. Двойникование. [51]

В бесконечном изотропном кристалле две частичные дислокации в слое отталкиваются друг от друга с силой, обратно пропорциональной расстоянию между ними. [52]

Взаимодействие между линейными рядами дислокаций и краевыми дислокациями. [53]

На рис. 50, б скользящая частичная дислокация аВ взаимодействует с краевой дислокацией crC ( aS) и образует ряд дислокаций, связанный двумя частичными дислокациями с основными компонентами Аа. [54]

Зависимость свободной энергии твердого раствора и выделений р-фазы от состава 140. [55]

Перестройка решетки происходит путем перемещения частичных дислокаций. В связи с изменением формы превращающейся области происходит релаксация упругих напряжений, следствием чего является образование дефектов кристаллического строения в мартенситной и исходной фазах. Когерентные ( видманштеттовые) превращения осуществляются по сдвигово-диффузионному механизму с образованием фазы, отличающейся по составу, и изменением формы превращенного объема. Нормальные ( некогерентные) превращения протекают при значительно меньших переохлаждениях путем индивидуальных переходов атомов с образованием фазы, отличной по составу от исходной. [56]

Комплекс, состоящий из двух частичных дислокаций соединенных лентой дефекта упаковки, называется расщепленной дислокацией. Согласно выражению (13.46) равновесная ширина do расщепленной дислокации обратно пропорциональна энергия дефекта упаковки у. Величина у определяется обычно из экспериментальных наблюдений расщепленных дислокаций. [57]

На рис. 279 показаны типы частичных дислокаций в ГЦК-решетке. [58]

Существование в решетке типа NaCl частичных дислокаций невозможно, потому что векторы Бюргерса, не являющиеся простыми векторами решетки, соединяли бы ионы разных знаков, а неизбежные при этом дефекты упаковки должны были бы приводить к соединению ионов одного знака. Энергия таких дефектов упаковки была бы чрезвычайно высока из-за электростатических сил взаимодействия. [59]

Штриховкой обозначены дефекты упаковки о частичными дислокациями на краях. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5