Полупроводниковый триод - тип - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Неудача - это разновидность удачи, которая не знает промаха. Законы Мерфи (еще...)

Полупроводниковый триод - тип

Cтраница 2


На рис. 3.15, а показаны входные характеристики полупроводникового триода типа р-п - р, включенного по схеме с общей базой.  [16]

17 Вольтамперные характеристики полупроводникового триода, включенного по схеме с общим эмиттером. [17]

На рис. 3.19 показаны входные и выходные характеристики полупроводникового триода типа р-п - р, включенного по.  [18]

Подобные логические схемы могут быть осуществлены также с применением полупроводниковых триодов типа п - р - л ( фиг.  [19]

Усилитель постоянного тока собран по балансной схеме на двух полупроводниковых триодах типа П-13 А. Питание осуществляется постоянным током от батареи в 4 5 в.  [20]

Пусковая схема на рис. 9 - 21 содержит ОПТ, который управляет полупроводниковым триодом типа 2N526, изменяя его состояние от отсечки до насыщения.  [21]

Генератор высокой частоты, который питает измерительную схему, выполнен на двух полупроводниковых триодах типа TI и Т а ( П-201 А), а не на электронной лампе, как в приборе ИДП-3. Применение полупроводниковых триодов позволило резко уменьшить габариты прибора и его потребляемую мощность.  [22]

Все электронные элементы записи и считывания магнитострикционной линии могут быть выполнены полностью на полупроводниковых элементах с применением мощного высокочастотного полупроводникового триода типа П601 на 5 em, 2 Мгц. В качестве усилителей записи и считывания могут быть использованы схемы, описанные в главе IV. Вместо триггеров записи и считывания запоминание импульсов может быть осуществлено при помощи емкости или динамического триггера с емкостью.  [23]

Определить расположение диодов в матрице одноступенчатого дешифратора, если код операции имеет вид: 00110, 00011, 00111; триггеры регистра дешифратора, которые принимают код операции, выполнены на полупроводниковых триодах типа р - п-р; выходные сигналы.  [24]

Быстродействие транзисторного счетчика определяется главным образом характеристиками транзисторов. Применение высокочастотных полупроводниковых триодов типов П-401, П-402, П-403 и др. в счетчиках, выполненных из обычных ненасыщенных триггеров на двух транзисторах, позволяет получить передельную частоту счета до 3 - 4 Мгц. Дальнейшее увеличение скорости счета достигается дополнительным введением в схему ячейки эмиттерных повторителей и корректирующих индуктивностей.  [25]

Параметры и элементы схемы выбраны так, что они удовлетворяют специфическим требованиям, предъявляемым к переносным измерительным устройствам. В качестве регулирующего транзистора в схеме применен полупроводниковый триод Тг типа ПЗОЗ. С отрицательного полюса источника питания и общей точки делителя 3, Re снимается напряжение обратной связи.  [26]

Триггер записи ( статический) имеет два входа для записи кода 1 и кода 0, куда подаются импульсы отрицательной полярности. Собственно схема статического триггера выполнена на двух полупроводниковых триодах типа р - п - р ( П-401 - П-403) ПTi и ПТг. Два других триода ПТз и lift служат для запуска триггера и усиления сигнала на его двух входах. Пусковые импульсы синхронизируются с помощью импульсов ГИ от главного генератора импульсов машины, которые следуют с частотой 3 Мгц и имеют длительность 0 15 мксек.  [27]

Как показали экспериментальные исследования, уровень остаточного напряжения на коллекторе открытого триода ЯЯ [ в насыщенном состоянии изменяется незначительно при изменениях температуры окружающей среды. Так, при проверке инвертора, выполненного на полупроводниковом триоде типа П-15, лри изменении температуры от - 50 С до 60 С был получен дрейф уровня не более 2 мв. Это дает возможность применять условный нуль для преобразования контролируемых напряжений, близкий к уровню остаточного напряжения инвертора.  [28]

29 Определение режима и параметров триода КТ602. [29]

В окрестности выбранной таким образом рабочей точки могут быть определены по наклону касательных необходимые параметры эквивалентной схемы транзистора. На рис. 4.15 в качестве примера проведено такое построение для полупроводникового триода типа К.  [30]



Страницы:      1    2    3