Полупроводниковый триод - тип
Cтраница 3
 |
Принципиальная схема фазовращательного моста. [31] |
Две выходные обмотки трансформатора выполняют роль двух плечей моста. Два других плеча образуют конденсатор и активное сопротивление. Последнее реализуется в виде полупроводникового триода типа п-р - п, включенного в диагональ выпрямительного моста. [32]
Далее необходимо отметить разработку виброметров с усилителями на транзисторах и автономным питанием. Виброметр с усилителем на полупроводниковых триодах типа ВИП-1 имеет габариты 200 X 140 X X 70 мм и вес 2 4 кг. Комплект батарей рассчитан на 100 ч непрерывной работы. [33]
Искровой дефектоскоп выполнен следующим образом. В футляре из орг стекла размером 222 X 192 X 350 мм и толщиной стенки 8 мм на угольниках крепится панель из оргстекла толщиной 12 мм. Электрооборудование монтируется на панели и включает тумблер цепи питания, предохранитель на 2 а, тумблер переключения напряжения, преобразователь постоянного тока в переменный, собранный на полупроводниковых триодах типа П-203, выпрямительный блок, собранный на полупроводниковых диодах типа Д7 - Ж, конденсаторы, повышающие трансформаторы, индикатор напряжения и сопротивления. [34]
Здесь термистор образует обычно одно из мостовых плеч. Весьма важным фактором, резко влияющим на чувствительность схемы, является стабилизация правильно подобранного напряжения питания. Здесь Трг и Тр2 - понижающие трансформаторы питания полукомплектов, установки на ДП и КП; Bi и В2 - выпрямительные мостики, построенные на диодах типа Д9А; Т, Л15 Rz, Rs - плечи моста датчика, состоящие из точечного термистора типа Т-9 и трех сопротивлений; Д4, R5, Re - добавочные или регулировочные сопротивления; ЭК - полупроводниковый триод типа П101; ИР - исполнительное реле типа РКМ; ПП - приемный прибор - миллиамперметр, шкала которого градуирована в градусах Цельсия; Съ С2 - сглаживающие емкости. [35]
 |
Линеаризованные характеристики триода при постоянных значениях тока базы.| Полупроводниковый модулятор ( или демодулятор. [36] |
В этой схеме используется соединение с заземленным эмиттером, и переключение осуществляется модулированным сигналом. Сигнал информации определяет, какой триод проводит. Когда сигнал положителен, полупроводниковый триод типа р позволяет прохождению тока коллектора. Когда сигнал информации отрицателен, полупроводниковый триод типа п пропускает ток коллектора. [37]
В этой схеме используется соединение с заземленным эмиттером, и переключение осуществляется модулированным сигналом. Сигнал информации определяет, какой триод проводит. Когда сигнал положителен, полупроводниковый триод типа р позволяет прохождению тока коллектора. Когда сигнал информации отрицателен, полупроводниковый триод типа п пропускает ток коллектора. [38]
 |
Схема с общей сеткой.| Схема с общим анодом. [39] |
Плоскостной триод представляет собой монокристалл полупроводника с несколькими чередующимися областями различной проводимости. Область полупроводника, в которой проводимость в основном обусловлена дырками, называется р-областью. Область полупроводника, в которой проводимость обусловлена главным образом свободными электронами, называется п-областью. В триодах типа п-р - п чередование слоев обратное. На рис. 1.73 показана схема включения полупроводникового триода типа р-п - р, называемая схемой с общей базой. Цепь эмиттера называется входной, а цепь коллектора - выходной. [40]
Напряжение на коллекторе ( - 7 5 в) выбирается более высоким, чем наибольший возможный отрицательный потенциал ( - 6 б) на входе. Это предотвращает проникновение носителей заряда коллектора в область базы и повышает сопротивление перехода эмиттер-база, нагружающего источник входного сигнала. Кроме того, это сокращает время нарастания входного сигнала. Включение емкости С параллельно сопротивлению Rz так же, как и в инвертере-усилителе ускоряет процесс нарастания выходного напряжения и, кроме того, уменьшает выброс амплитуды выходного сигнала, который получается при емкостной нагрузке. Выходное сопротивление эмиттер-ного повторителя весьма низкое и для типовых триодов составляет 10 - 50 ом, что является существенным преимуществом его как усилителя мощности. Аналогичная схема эмиттерного повторителя может быть выполнена на полупроводниковых триодах типа п-р - п ( фиг. [41]
Страницы: 1 2 3