Плоскостной полупроводниковый триод

Cтраница 1

Плоскостные полупроводниковые триоды могут работать на частотах в несколько сотен мегагерц. [1]

Плоскостной полупроводниковый триод состоит из трех областей. Средняя область, образованная полупроводником с электронным или дырочным типом электропроводности, называется базовой областью, или базой. К базе с двух сторон примыкают области противоположного типа электропроводности. Таким образом, в едином монокристалле существуют два электронно-дырочных перехода. [2]

Плоскостной полупроводниковый триод может давать более высокое усиление по напряжению, чем точечно-контактный. [3]

Плоскостные полупроводниковые триоды применимы для усилителей мощности ( основной частоты), умножителей частоты и генераторов. [4]

Разновидности плоскостных полупроводниковых триодов. [5]

Плоскостные полупроводниковые триоды имеют несколько разновидностей: сплавные, тянутые или диффузионные. [6]

Технические данные кремниевых плоскостных диодов.| Плоскостной германиевый триод типа ПЗ. [7]

Изготовляются точечные и плоскостные полупроводниковые триоды. [8]

Свойства плоскостного полупроводникового триода типа р-п - р ( или п-р - п), по сути дела представляющего собой два р-п-перехода, выполненных в виде единого кристалла германия ( или кремния), не могут быть получены простым суммированием свойств перехода. В самом деле, если решить задачу о вольт-амперных соотношениях для двух переходов, сконструированных в виде единого кристалла, при введенных ранее предположениях и обычном для транзистора режиме смещения, то можно сделать вывод, что входной ток может эффективно управлять выходными токами прибора только при условии, что толщина базы много меньше диффузионной длины неосновных носителей в базовой области. Необходимым условием для этого является малость ширины базового слоя по сравнению с длиной диффузии неосновных носителей в материале области базы. [9]

При изготовлении плоскостных полупроводниковых триодов / 7-я-р - типа обычно используются процессы диффузии или сплавления. [10]

С помощью плоскостных полупроводниковых триодов можно получать усиления по напряжению и по мощности большие, чем у точечно-контактных. [11]

Вообще говоря, плоскостные полупроводниковые триоды значительно уступают точечно-контактным транзисторам в отношении частотных характеристик. Это связано с гораздо большей собственной емкостью плоскостных р-л-переходов и большим временем пролета неосновных носителей от эмиттера к коллектору. Однако в настоящее время изготовлены образцы плоскостных триодов, не уступающие точечно-контактным триодам и в этом отношении. [12]

Таким образом, плоскостной полупроводниковый триод может дать гораздо большее усиление по напряжению, чем точечно-контактный. [13]

Схема мультивибратора на плоскостных полупроводниковых триодах ( рис. 4 - 6) в принципе не отличается по построению от ламповой схемы. Соответственно и электрические процессы, протекающие в этих схемах во время формирования вершин импульсов, в основном аналогичны и связаны с перезарядом емкостей. [14]

Ненасыщенные триггеры на плоскостных полупроводниковых триодах критичны к разбросу и нестабильности параметров триодов. Они обладают эффектом накопления неосновных носителей в базовом слое, приводящим к сбоям в работе. [15]

Страницы: 1 2 3 4