Плоскостной полупроводниковый триод
Cтраница 4
Генератор 4, питающий катушку возбуждения индукционного преобразователя, собран на плоскостном полупроводниковом триоде ПТи с общим эмиттером. Одна из обмоток генератора служит для подачи опорного напряжения на кольцевой фазочувствительный выпрямитель. [46]
Генератор 4, питающий катушку возбуждения индукционного преобразователя, собран на плоскостном полупроводниковом триоде ПТь с общим эмиттером. Одна из обмоток генератора служит для подачи опорного напряжения на кольцевой фазочувствительный выпрямитель. [47]
В современной ( преимущественно малогабаритной) радиопередающей аппаратуре все большее применение находят плоскостные полупроводниковые триоды, называемые транзисторами. [48]
В современной металлургии разрабатывается вопрос о применении этих двух методов для получения плоскостных полупроводниковых триодов обоих типов. Имеются необычайно большие возможности в деле усовершенствования этих методов. [49]
Но, невидимому, в недалеком будущем появятся как точечно-контактные, так и плоскостные полупроводниковые триоды промышленного изготовления, обладающие очень высоким пределом максимальной частоты модуляции. Казалось бы разумным в этих целях расстояние между коллектором и эмиттером делать по возможности меньшим, но соображения механического характера, а также учет некоторых электрических свойств накладывают известные ограничения на величину этого наименьшего расстояния. [50]
 |
Схема усилительного каскада. [51] |
Чтобы представить работу схемы и оценить свойства усилительного каскада, рассмотрим типичные статические характеристики плоскостного полупроводникового триода. [52]
Большинство реостатно-емкостных релаксационных схем, таких как триггер или мультивибратор, по своему построению на плоскостных полупроводниковых триодах внешне ничем не отличается от соответствующих схем на электронных лампах. Однако электрические процессы, протекающие в схемах в том и другом случаях, отличаются друг от друга, особенно во время быстрых изменений токов и напряжений при формировании фронтов импульсов. Связано это со специфическими свойствами полупроводниковых триодов, такими, как инерционность триода и явление насыщения. Связь этих свойств с физическими процессами в триоде подробно рассмотрена в гл. Здесь же мы их рассмотрим с точки зрения влияния на работу схем с реостатно-емкостными связями. [53]
Комбинация двух близко расположенных друг к другу ( р-п) - переходов в одном кристалле полупроводника представляет собой плоскостной полупроводниковый триод, который получил название транзистор. Транзисторы широко используются в аналоговых устройствах для усиления и генерирования электрических сигналов, в разнообразных цифровых логических схемах. [54]
Помимо трехэлектродных полупроводниковых триодов, был разработан также четырехэлектродный полупроводниковый тетрод [8], который представляет собой некоторую модификацию плоскостного полупроводникового триода п-р-п-тмпа. Хотя исчерпывающих данных по этому вопросу до сих пор еще не появилось, все же наиболее существенные стороны этого изобретения могут быть освещены. [55]
Справочник содержит данные об основных типах термисторов, фотосопротивлений, селеновых и купроксных выпрямителей, германиевых и кремниевых диодов, плоскостных полупроводниковых триодов с указанием области их применения. [56]
Для многочисленных целей применения важно знать, какое может быть получено максимальное теоретически возможное усиление по напряжению [8] от точечно-контактного или плоскостного полупроводникового триода. Для определения этих величин следует идеализировать схему, взяв для этой цели идеальный генератор с нулевым внутренним сопротивлением и идеальную нагрузку с бесконечно большим сопротивлением. Если внутреннее сопротивление генератора равно нулю, то падения напряжения на нем не будет; если сопротивление нагрузки бесконечно велико, то к нему приложено полное напряжение генератора. [57]
Поэтому, если переход лежит между р - и л-областями с резко различными концентрациями примесей, как это обычно бывает в плоскостных полупроводниковых триодах, то р - и-переход почти целиком будет лежать в пределах области с меньшей концентрацией примесей. [58]
Причины, по которым мы уделяем довольно много внимания этому вопросу, заключаются не только в том, что p - n - переход является основной частью в плоскостных полупроводниковых триодах 1), но также и в том, что это очень удобная модель для установления общего правила определения пропускного направления тока как для кристаллических диодов, так и для полупроводниковых триодов. [59]
Страницы: 1 2 3 4