Cтраница 1
Точечно-контактные полупроводниковые триоды могут обладать отрицательным сопротивлением и осуществлять переключение, если в цепь базы включено добавочное сопротивление. [1]
Для точечно-контактных полупроводниковых триодов эта величина может быть порядка 30 ком, а для плоскостных - порядка 1 мгом и выше. [2]
Способность точечно-контактных полупроводниковых триодов усиливать ток объясняется действием введенных из эмиттера дырок, усиливающих ток в цепи коллектора. [3]
Частотная характеристика точечно-контактных полупроводниковых триодов зависит от времени пролета носителей тока между эмиттером и коллектором и от вида траекторий дрейфа носителей. [4]
Поскольку у точечно-контактных полупроводниковых триодов, изготовляемых из полупроводников и-типа, линии дрейфа дырок от эмиттера к коллектору могут быть как прямыми, так и изогнутыми, электроны могут поставляться в цепь коллектора из довольно большой области внутри полупроводника, куда эти линии проникают. Поэтому даже в том случае, когда введенных дырок уже не хватает для пропорционального увеличения тока в цепи коллектора, все же из смежных областей полупроводника небольшое количество электронов будет еще извлекаться за счет действия положительного пространственного заряда, а это будет препятствовать образованию слишком резкого излома вольтамперной характеристики. [5]
Теория работы точечно-контактных полупроводниковых триодов находится еще в стадии своей разработки, а поэтому следует внимательно следить за текущей литературой по этому вопросу, чтобы быть в курсе новых достижений в этой области. [6]
Теоретическое объяснение действия точечно-контактных полупроводниковых триодов, которое будет изложено ниже, следует рассматривать просто как одну из многих теорий, и читатель должен относиться к ней критически. [7]
При рассмотрении теории работы точечно-контактного полупроводникового триода было уже указано, что даваемое им усиление по напряжению обусловлено как усилением по току, так и тем, что сопротивление г22 много больше сопротивления гп. Ранее упоминалось также, что коэффициент а, определяемый уравнением (8.17), является отношением тока коллектора к току эмиттера. [8]
Изменения в технологии производства точечно-контактных полупроводниковых триодов в сильнейшей степени сказываются на его основных характеристиках. Например, низкоом-ный германий дает низкие значения сопротивления базы гь и входного сопротивления гп, а высокоомный - приводит к обратному результату. Сопротивление выпрямляющего эмиттер-ного контакта растет с увеличением сопротивления германия, и наоборот. Температурная зависимость электрических характеристик полупроводникового триода растет с увеличением удельного сопротивления исходного германия. [9]
Прежде чем приступить к рассмотрению теории точечно-контактных полупроводниковых триодов, необходимо сделать несколько предварительных замечаний. [10]
Как видно из численных примеров [ см. уравнение (10.28) ], для точечно-контактных полупроводниковых триодов в схеме с заземленным эмиттером коэффициент усиления по току обычно отрицателен. [11]
Другим следствием большого времени пролета ( из-за малой подвижности носителей тока) в точечно-контактных полупроводниковых триодах является уменьшение коэффициента усиления по току с ростом частоты. Когда период колебаний сравним со временем пролета дырок от эмиттера к коллектору, то может случиться, что дрейфующее по полю изменение в распределении числа носителей, вызванное положительной частью синусоиды возмущающего потенциала, еще не успеет достигнуть коллектора, а от эмиттера уже начнет распространяться сигнал, вызванный отрицательной частью этой синусоиды. Указанный эффект будет играть все большую роль по мере увеличения частоты, и это соответствует наблюдаемому экспериментальному факту убывания коэффициента усиления по току с увеличением частоты модулирующего потенциала. [12]
Сопротивление в цепи коллектора у плоскостных полупроводниковых триодов может достигать нескольких мегом, а поэтому вольтамперные характеристики в рабочей области около точки С у приборов этого типа идут гораздо круче, чем в случае точечно-контактных полупроводниковых триодов. Это легко проверить путем сравнения кривых на фиг. [13]
Из уравнения (8.19) видно также, что для плоскостного триода, у которого - а всегда меньше единицы, / всегда положительно. Имеется поэтому существенная разница между возможной неустойчивостью точечно-контактных полупроводниковых триодов с закороченным выходом и постоянной устойчивостью плоскостных триодов при сходных условиях работы. Условие устойчивости при коротком замыкании выхода часто оказывается решающим при выборе типа полупроводникового триода для той или иной схемы. [14]
Так же как и при диодном включении, триод типа р-п-р-п обладает свойствами переключающего прибора и во м ногах отношениях аналогичен обычному тиратрону. Действия прибора типа р-п-р-п как переключателя аналогично действию точечно-контактных полупроводниковых триодов. [15]