Cтраница 2
Ввиду того что рекомбинация происходит непрерывно, число дырок, которые будут рекомбинировать с электронами, будет возрастать с увеличением времени пролета. Так как для максимально эффективной работы точечно-контактного полупроводникового триода необходимо, чтобы до коллектора доходило возможно большее число введенных дырок, то поэтому желательно по возможности уменьшить расстояние между коллектором и эмиттером. Обыкновенно в современных точечно-контактных транзисторах это расстояние не превышает 0 1 мм. Если это расстояние слишком велико, то уменьшается усиление и портится частотная характеристика прибора. [16]
Если электроны перешли в эти поверхностные состояния или, как иногда говорят, в поверхностные квантовые состояния, они оказываются связанными в них и могут переходить в объемные состояния только при условии сообщения им дополнительной энергии. В результате на поверхности полупроводника появляется отрицательно заряженный слой электронов. В случае полупроводников с электропроводностью я-типа, из которых, как уже упоминалось, изготавливаются точечно-контактные полупроводниковые триоды, этот отрицательный слой электронов, связанных в поверхностных состояниях, в совокупности со слоем положительно ионизированных донорных атомов, находящихся вблизи поверхности, образует потенциальный барьер, изображенный на фиг. Такой барьер должен оказывать такое же действие, как и / - я-переход, работа которого обсуждалась в связи с фиг. [17]
Вид этих линий скорее напоминает картину распределения силовых линий магнитного поля между полюсами магнита. В связи с тем, что время дрейфа по таким изогнутым траекториям больше времени дрейфа вдоль прямой линии между двумя точками, окажется, что разобранный выше эффект искажения сигналов будет иметь место уже при более низких частотах. Хотя в литературе уже появились данные о том, что частотную границу этого эффекта можно отодвинуть до частот порядка 300 мггц [10], все же промышленных образцов точечно-контактных полупроводниковых триодов с такими характеристиками еще не появилось и для них эта верхнечастотная граница находится в пределах от 5 до 10 мггц. [18]
Преимущества полупроводниковых триодов перед электронными лампами хорошо известны. Замена большого числа электронных ламп, имеющихся в машинах, полупроводниковыми триодами значительно повысит надежность работы, уменьшит габариты и потребляемую мощность, упростит эксплуатацию машин, позволит повысить быстродействие за счет более сложных логических схем. Это будут машины совсем нового, более совершенного класса. Схемы узлов машин на точечно-контактных полупроводниковых триодах разработаны в ряде институтов Академии наук и промышленности. [19]