Cтраница 3
Ориентировочно можно считать, что величина данного отношения лежит в пределах ( Зч - б) х X Ю-8 сек, для сплавных триодов и составляет - 1 10 - 9 сек для дрейфовых триодов. [31]
Практика выполнения таких схем показывает, что оптимальные значения емкости при RK порядка нескольких килоом составляют около 400 - 700 пф для схем на сплавных триодах и 100 - 200 пф на дрейфовых. [32]
Если при изучении ряда вопросов и схем, использующих в качестве усилительных элементов полупроводниковые триоды, приходилось учитывать специфические свойства транзисторов, вызывающие появление комплексности всех параметров эквивалентной схемы уже на частотах свыше 7 - 10 кгц ( для сплавных триодов), а при рассмотрении аналогичных схем на электронных лампах можно было пользоваться упрощенной эквивалентной схемой, то при переходе к анализу схем резонансных усилителей высокой частоты необходимо учесть ряд дополнительных факторов, определяющих усилительные свойства ламп. При рассмотрении принципа работы электронных ламп предполагалось, что электроны достигают анода практически мгновенно, однако такое допущение справедливо только при сравнительно медленных изменениях напряжений на управляющей сетке. При частотах порядка десятка мегагерц начинает сказываться время пролета электронов от катода к аноду. Оно сказывается тем сильнее, чем выше частота. Таким образом, приходится учи тывать инерционность электронной лампы, вызывающую запаздывание анодного тока относительно сеточного напряжения. [33]
В транзисторе с электрическим полем в базе, созданным градиентом концентрации примесей, движение носителей заряда происходит как за счет диффузии, так и под воздействием поля; при этом время пролета носителей от эмиттера до коллектора значительно меньше, а предельная частота гораздо выше, чем у сплавных триодов при той же ширине базы. [34]
![]() |
Сплавной транзистор. [35] |
Омическое сопротивление определяется сопротивлением толщины базы и зависит от геометрических размеров и удельного сопротивления базы. Для сплавного триода ( рис. 4 - 8) база состоит из сопротивления диска толщиной w и сопротивления колец толщиной до2 и wa, находящихся между эмиттером и базовым коллек-тором. [36]
Омическое сопротивление определяется сопротивлением толщины базы и зависит от геометрических размеров и удельного сопротивления базы. Для сплавного триода ( рис. 42) гбо состоит из сопротивления диска толщиной w и сопротивления колец толщиной ш, и wf в направлении движения носителей от эмиттера к базовому контакту. [37]
![]() |
Векторная диаграмма токов транзистора на высоких частотах ( а и зависимость от частоты параметров Риф ( б. [38] |
До несколь ких десятков и даже сотен мегагерц ( / ро равно 1 Мгц и более) - Следует иметь в виду, что частотные свойства триодов зависят от тока эмиттера. В сплавных триодах частотные свойства незначительно ухудшаются при уменьшении эмиттерного тока. Однако в дрейфовых триодах в режиме малых токов граничная частота может снизиться на порядок, что необходимо учитывать при выборе типа транзистора. [39]
![]() |
Элементы тетрода. а сплавной ( кольцевая геометрия, поперечный разрез. б тянутый. [40] |
Вслед за сплавными триодами появились электрохимические. [41]
Напряжение пробоя в объеме триода обычно соответствует лавинному процессу. Во многих конструкциях сплавных триодов задолго до пробоя в объеме триода происходит пробой по поверхности и это явление ограничивает максимальное напряжение, которое может быть приложено к переходу. Пробой по поверхности также может иметь лавинный характер. Обычно для сплавных триодов величина пробивного напря-жения пропорциональна удельному сопротивлению слабо легированной базовой области ступенчатого электронно-дырочного перехода. Влияние удельного сопротивления базы на напряжение пробоя сплавных триодов р-п - р типа с малой площадью переходов показано на фиг. [42]
По сравнению с другими транзисторами сплавные транзисторы имеют более низкий частотный предел, но в диапазоне частот от 0 до 30 Мгц могут быть применены во всех типах схем радиоэлектронной аппаратуры. Специфическими схемами для сплавных триодов следует считать усилители звуковых частот в режимах А и В, блокинг-генераторы, высокоэффективные преобразователи и стабилизаторы тока и напряжения. К недостаткам триодов этого типа следует отнести прежде всего относительно большой разброс параметров, причины которого заключены в самой технологии изготовления, а также нестабильность параметров во времени, несколько превышающую нестабильность триодов других типов. [43]
Это означает зависимость его от тока, протекающего в цепи эмиттера. Действительно, для кремниевых сплавных триодов типа п - р - п при Т20 С величина сдвига при токах 0 1, 1 и 10 ма составит соответственно 2 3, 2 0 и 1 7 мв / град. Для германиевых высокочастотных сплавных триодов те же значения равны 2 5; 2 3 и 2 1 мв / град. Поэтому в дифференциальном усилителе, где транзисторы в общем случае проводят разные токи в момент срабатывания схемы, возможно лишь снижение дрейфа, а не его абсолютное устранение. [44]
В табл. 1 приведены параметры трех практических схем двоичных триггеров. Как видно из табл. 1, параметры триггера на сплавных триодах П16 близки к полученным при расчете. [45]