Сплавной триод

Cтраница 4

За исключением создания сплавной электронно-дырочной структуры и ее травления, технологический процесс изготовления триодов включает еще две важные операции: монтаж пластинки с переходом на ножку и помещение прибора в корпус. В дальнейшем будут рассмотрены основные технологические положения, относящиеся к сборке сплавных триодов, и типичные примеры конструирования приборов различного назначения. [46]

Структурные схемы транзисторов типа р-п - р ( а и п-р - п ( б и их условные обозначения ( в и ( г. [47]

В структуре типа р-п - р исходный монокристалл имеет п-прово-димость. В два наружных слоя его вводятся путем сплавления с примесным элементом ( сплавной триод) либо путем диффузии ( диффузионный триод) атомы акцепторной примеси. Концентрация акцепторной примеси в наружных слоях превышает примерно на два-три порядка концентрацию ранее введенной донорной примеси. [48]

Приборы, заполненные воздухом, ведут себя значительно лучше. Это вновь подтверждает важность создания и поддержания высокого поверхностного потенциала в случае сплавных триодов п-р - п и р-п - р типа. [49]

Схема кольцевой пересчетной схемы на 5 ( триоды П16Б. [50]

Полная схема такого декадного счетчика содержит около 15 триодов, 10 диодов и 56 прочих деталей; потребляемая мощность на 30 % выше, чем в пересчетной бинарной схеме на восемь. Разрешающее время определяется параметрами входного триггера и составляет 3 - 5 мксек для сплавных триодов и около 1 мксек для дрейфовых. [51]

При помощи описанных процессов были получены электроды площадью от 10 - 3 до 1 мм2 при глубине вплавления 0 025 - 25 мк. Эти электроды служат в качестве эмиттеров триодов с диффузионной базой, эмиттеров и коллекторов сплавных триодов и омических контактов в диффузионных приборах. Способ напыления обеспечивает хорошее сочетание вплавления и диффузии, которое невозможно достигнуть другим путем. [52]

Кроме пробоя, для полупроводниковых триодов характерно явление смыкания эмиттерного и коллекторного переходов, также сопровождающееся увеличением тока коллектора и ограничивающее допустимое напряжение. Из-за несовершенства технологии толщина базы может оказаться неодинаковой в разных точках, и для расчета напряжения смыкания переходов следует брать минимальное ее значение, которое для маломощных триодов, полученных методом сплавления, составляет от 1 / 2 до 1 / 5 средней толщины базы. Для мощных сплавных триодов в связи с большей площадью переходов минимальная толщина базы составляет от 1 / 5 до 1 / 10 средней. [53]

Это означает зависимость его от тока, протекающего в цепи эмиттера. Действительно, для кремниевых сплавных триодов типа п - р - п при Т20 С величина сдвига при токах 0 1, 1 и 10 ма составит соответственно 2 3, 2 0 и 1 7 мв / град. Для германиевых высокочастотных сплавных триодов те же значения равны 2 5; 2 3 и 2 1 мв / град. Поэтому в дифференциальном усилителе, где транзисторы в общем случае проводят разные токи в момент срабатывания схемы, возможно лишь снижение дрейфа, а не его абсолютное устранение. [54]

В плоскостном триоде с переходами для канала над областью основания величина d / c может быть порядка 50 или больше; соответственно проводимость канала при F0 - F будет - 10 - 4 мо. Такой порядок величины и был получен и опытах Брауна [18] и Кингстона. В сплавном триоде не будет создаваться заметного канала на основании, однако в каналах на эмиттере и коллекторе отношение ( djc) будет - 500, так что канальная проводимость вполне может оказаться порядка 10 - 3 мо. [55]

Вплавление эмиттерной и коллекторной навесок производят в защитной атмосфере. В зависимости от материала выбирается и температура вплавления. При производстве сплавных триодов сейчас применяют два метода вплавления: кассетный и бескассетный. Кассета обеспечивает центровку всех деталей. При бескассетном методе вплавления эмиттерную и коллекторную навески припрессовывают к пластинке полупроводника. Бескассетный метод обеспечивает хорошую центровку переходов и лучшее их качество. [56]

Настоящий раздел посвящен, в основном, обсуждению факторов, которые определяют электрические характеристики триодов. Одно из существенных отличий триода, полученного методом двойной диффузии, от сплавного или тянутого триода заключается в различном распределении примесей в трех активных областях. В идеальном случае тянутые и сплавные триоды обладают однородной концентрацией примесей в этих областях с резким переходом от одного типа проводимости к другому. В случае двойной диффузии распределение примесей более точно описывается функцией ошибок. При этом для эмиттерного и коллекторного переходов характерно существование градиента концентрации примесей. Это различие оказывает заметное влияние на электрические свойства триодов. Вероятное распределение донорных ND и акцепторных NA примесей в п-р - п структуре, полученной двойной диффузией, показано на фиг. Крбмер [26] показал, что неоднородное распределение примесей в полупроводнике создает электрическое поле, которое влияет на движение электронов и дырок. Например, на участке базовой области поле между эмиттерным переходом хе и минимумом х на кривой ND-NA тормозит движение электронов к коллектору, тогда как поле на участке между этим минимумом и коллекторным переходом хс ускоряет это движение. [57]

Таким образом, результаты исследования процесса сушки также указывают на наличие на поверхности германия слоя окиси, возникновение которого зависит от многих условий. Различия в поверхностном слое отражаются, в свою очередь, на характеристиках триодов. Наблюдения, проведенные в случае сплавных триодов при помощи электронного микроскопа показали, что приборы, которые с трудом поддаются сушке, покрыты аморфной пленкой толщиной примерно 50 А; приборы, которые высыхают легче, имеют на поверхности более тонкий, сплошной, кристаллический окисный слой. [58]

Однако, если каскадирование феррит-транзисторных счетных элементов не вызывает трудностей, то запуск первой ячейки требует специально сформированного сигнала. Поскольку получение коротких импульсов на сплавных триодах затруднительно, для запуска используется импульс не самого блокинг-процесса, а более короткий импульс тока ( выброс), возникающий в обмотке после его окончания. Диод и сопротивление в цепи запуска определяют необходимое направление импульса тока и ограничивают его величину. Мертвое время схемы запуска порядка 10 мксек, что несколько превышает собственное разрешающее время феррит-транзисторного триггера. Это обеспечивает работу входного триггера без сбоев и позволяет точно учесть просчет на входе схемы. [59]

Это значит, что концентрация инжектированных носителей значительно меньше равновесной концентрации основных носителей в базе. В то же время, если провести расчет сплавного триода с W 50 мкм, диаметром эмиттера, ds 0 7 мм и удельным сопротивлением области базы Рб 1 5 см, то получим, что при токе эмиттера 1Э 0 5 ма концентрация неравновесных носителей будет приблизительно в 10 раз ниже концентрации основных равновесных носителей. [60]

Страницы: 1 2 3 4