Диффузионный триод
Cтраница 1
Диффузионный триод в таком исполнении, как мы его только что рассмотрели, довольно сложен технологически. Основная трудность состоит в необходимости получить тонкий равномерный базовый слой. Его толщина для обеспечения хороших частотных характеристик должна составлять единицы микрон. Так как базовый слой располагается довольно близко от поверхности, на его однородность могут повлиять всевозможные поверхностные дефекты, которые могут иметь размеры тоже порядка единиц микрон. Таким образом, при изготовлении триодов методом двойной диффузии к обработке поверхности исходной пластинки полупроводника предъявляются весьма высокие требования. [2]
 |
Разновидности плоскостных полупроводниковых триодов. [3] |
Диффузионные триоды ( рис. 5 - 15, в) получают диффузией примесей в исходную пластинку полупроводника в газовой среде при высокой температуре. У них может быть толщина базы 2 - 3 мк, что резко повышает допустимую граничную частоту / пр. Концентрация примесей в базе уменьшается от поверхности в глубину. [4]
У диффузионных триодов вывод базы располагается посередине, причем вывод коллектора отстоит от базового несколько дальше, чем эмиттерный. У дрейфовых триодов вывод коллектора припаян к корпусу прибора, а вывод эмиттера отмечен красной или белой точкой. [5]
 |
Схемы устройства плоскостного триода. [6] |
В диффузионных триодах, разработанных в 1956 г., за счет диффузии примесей в германий с проводимостью типа р при высокой температуре проникают одновременно атомы донорной и акцепторной примесей, обладающих разными величинами - коэффициента диффузии. [7]
 |
Диффузионный триод.| Схема конструкции диффузионного триода. [8] |
Определим величину напряженности электрического поля в диффузионном триоде с экспоненциальным распределением примесей в области базы. [9]
Низкочастотное значение коэффициента усиления по току а для диффузионных триодов лежит в пределах 0 95 - 0 99 и достигает значения 0 998 только для самых хороших образцов. Коэффициент передачи зависит от времени жизни неосновных носителей заряда в базовой области, скорости рекомбинации на поверхности, непосредственно окружающей эмиттер, и геометрии прибора. Высокое значение а, полученное в предположении низкого времени жизни в базовой области и высокой поверхностной рекомбинации, показывает, что наблюдаемый коэффициент усиления по току вероятнее всего ограничен эффективностью эмиттера. Что касается эффективности эмиттера, то в пределах точности, с которой известны концентрация примесей в рекристалли-зованной эмиттерной и базовой областях, а также толщины этих двух областей, расчетное значение эффективности совпадает с экспериментальным. [10]
Кроме этого, имеется 27 диодов типа Д2В или Д9В и 4 полупроводниковых диффузионных триодов типа П-402. [11]
Конверсионные триоды, как было отмечено, сочетают в себе сравнительно высокие мощности и частоты, однако обладают недостатком диффузионных триодов - низкое напряжение U эб. [12]
В настоящее время этот недостаток преодолен за счет специальной технологии образования р - п переходов, Отечественная промышленность выпускает так называемые диффузионные триоды ( П-401, П-402, П-403), могущие работать в области частот до 120 мгц. Известны также специальные типы плоскостных триодов, могущие работать при частотах до 10 000 мгц. [13]
 |
Модель дрейфового транзистора, поясняющая возникновение электрического поля в базе. [14] |
Как диффузионные, так и дрейфовые транзисторы являются приборами плоскостного типа. Диффузионные триоды, к которым относились все предыдущие рассуждения, как правило, изготовляются методом вплавления ( см. гл. Дрейфовые триоды изготовляются по принципиально иной технологии и несколько отличаются по механизму передачи тока в базе. Принцип действия дрейфовых триодов сводится к следующему. [15]
Страницы: 1 2