Диффузионный триод
Cтраница 2
В заключение следует отметить одну немаловажную деталь, связанную с отсутствием установившейся терминологии. Диффузионные триоды часто называют сплавными [61] по методу изготовления. Это название является дополнительной характеристикой и не вносит путаницы. Однако для дрейфовых триодов в справочниках [61 ] довольно часто применяют термин дирфузионные, имея в виду способ приготовления. Эта терминология может привести к существенной путанице и как следствие этого в некоторых случаях повлечь за собой неприятные последствия. В данной главе название указанных триодов принимается по их принципу действия: диффузионные и дрейфовые, а не по их методу изготовления: сплавные и диффузионные. [16]
 |
Основные схемы включения полупроводниковых триодов. [17] |
Таким образом удается получить основание толщиной порядка 1 мкм. Как полупроводниковые тетроды, так и диффузионные триоды могут успешно работать при частотах IB сотни мегагерц. [18]
Все большее значение приобретает так называемый диффузионный метод получения электронно-дырочных переходов, основанный на использовании разных коэффициентов диффузии легирующих материалов, которые вследствие этого проникают в полупроводниковое вещество на разные расстояния. Преобладание того или другого леги-оующего материала дает соответствующий характер проводимости - В настоящее время в США созданы образцы диффузионных триодов на частоты до 500 Мгц. [19]
 |
Структурные схемы транзисторов типа р-п - р ( а и п-р - п ( б и их условные обозначения ( в и ( г. [20] |
В структуре типа р-п - р исходный монокристалл имеет п-прово-димость. В два наружных слоя его вводятся путем сплавления с примесным элементом ( сплавной триод) либо путем диффузии ( диффузионный триод) атомы акцепторной примеси. Концентрация акцепторной примеси в наружных слоях превышает примерно на два-три порядка концентрацию ранее введенной донорной примеси. [21]
 |
Геометрия переходов. [22] |
Рассмотрим несколько подробнее поведение триода, у которого диаметр коллектора равен внутреннему диаметру базового. При такой геометрии переходов ( рис. 4) часть коллектора, находящаяся непосредственно под базовым кольцом, инжектирует ток в базу. Подобное явление для диффузионных триодов описано в литературе [3] и названо перекрытием. [23]
 |
Геометрия переходов. [24] |
Рассмотрим несколько подробнее поведение триода, у которого диаметр коллектора равен внутреннему диаметру базового кольца или несколько больше него. При такой геометрии переходов ( рис. 4) часть коллектора, находящаяся непосредственно под базовым кольцом, инжектирует ток в базу. Подобное явление для диффузионных триодов описано в литературе [3] и названо перекрытием. [25]
Как видно из рис. 5.45, д, максимальная разность потенциалов между сторонами базы не превосходит половины ширины запрещенной зоны. Такие значения напряжения могут быть достигнуты только при очень большом количестве примесей в области базы около эмиттера. Это снижает его эффективность и уменьшает подвижность носителей, что ухудшает частотные характеристики триода. Реально можно получить предельную частоту дрейфового триода, примерно в 10 раз большую, чем бездрейфового. Следует отметить, что емкость коллекторного перехода диффузионного триода весьма мала. [26]
Страницы: 1 2