Краевая дислокация
Cтраница 3
Краевая дислокация образуется, если внутри кристалла появляется лишняя полуплоскость атомов, которая называется экстраплоскостью. Ее край 1 - 1 создает линейный дефект решетки, который называется краевой дислокацией. Условно принято, что дислокация положительная, если она находится в верхней части кристалла и обозначается знаком J. Дислокации одного и того же знака отталкиваются, а противоположного - притягиваются. При этом образуется ступенька величиной в одно межатомное расстояние. [31]
Краевые дислокации могут быть следствием пластической деформации карбида кремния при высокой температуре. Доказательством скольжения при высокой температуре являются изогнутые дислокации, нагромождения отдельных дислокаций. [32]
Краевая дислокация на рис. 286 6 может возникнуть путем атомной перестройки, при которой атомы сдвигаются со своих мест, свободные связи соединяются и образуются парные валентные связи. [33]
Краевые дислокации тесно связаны с процессом скольжения. Если к кристаллу приложена внешняя сила, она будет вызывать сдвиг только вдоль определенных плоскостей, которые называются плоскостями скольжения. Данному типу решетки соответствует определенный набор плоскостей скольжения. [34]
Краевая дислокация, схематически показанная в двух измерениях. [35]
Краевая дислокация, схематически показанная в трех измерениях. [36]
Краевые дислокации могут образовываться при пластическом изгибе кристалла, обычно располагаясь при этом, как показано на фиг. Для ускорения движения дислокаций обычно требуется отжиг, причем некоторые дислокации взаимно уничтожаются ( аннигилируют), когда они сходятся вместе в процессе движения. Атомы сохраняют свои нормальные положения в плоскостях, поскольку дислокации перестраиваются, переползая в плоскости, перпендикулярной плоскости чертежа на фиг. Такая перестройка происходит посредством движения вакансий в плоскости скольжения. Возникающая картина напоминает многоугольники ( полигоны), так что кристалл называют полигонизован-ным, а возникновение малоугловых межзеренных границ в ходе любого процесса объединяют понятием поли-гонизация. [37]
 |
Движение дислокации под действием касательного напряжения ( т. [38] |
Краевая дислокация может перемещаться также в направлении, перпендикулярном ее вектору Бюргерса. Такое движение сопряжено с перемещением дислокации из одной атомной плоскости в другую, то есть дислокация переползает из одной атомной плоскости в другую. Поскольку такое движение связано с диффузионными процессами, оно происходит достаточно медленно и называется переползанием. [39]
 |
Движение дислокации под действием касательного напряжения ( т. [40] |
Краевая дислокация может перемещаться также в направлении, перпендикулярном ее вектору Бюргерса. Такое движение сопряжено с перемещением дислокации из одной атомной плоскости в другую, то есть дислокация переползает из одной атомной плоскости в другую. [41]
 |
Кристалл с винтовыми дислокациями ( а и образование клтуйеиек на поверхности его хрушкого иалюма после раз - рушвния ( б. [42] |
Краевые дислокации не могут быть причиной образования ступенек; на малоугловых наклонных границах хрупкая трещина только меняет направление. [43]
Краевые дислокации могут быть следствием пластической деформации карбида кремния при высокой температуре. Доказательством скольжения при высокой температуре являются изогнутые дислокации, нагромождения отдельных дислокаций. [44]
 |
Краевые дислокации. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5