Краевая дислокация

Cтраница 4

Краевая дислокация ( рис. 10 6 и в) представляет собой локализованное искажение кристаллической решетки, вызванное наличием в ней лишней атомной полуплоскости или экстраплоскости, перпендикулярной к плоскости чертежа. [46]

Винтовая дислокация. л - схема расположения атомов ( кубик в кристалле с дисклонацисй. б - поверхность кристалла с выходом винтовой дислокации. я - спираль роста и кристалле парафина, ьоЗЕсикшая на выходе винтооой дислокации. [47]

Краевая дислокация: а - обрыв атомной плоскости; б - илситронно-мик-роско. [48]

Краевые дислокации. [49]

Краевая дислокация ( рис. 9) представляет собой локализованное искажение кристаллической решетки, вызванное наличием в ней лишней атомной полуплоскости или экстраплоскости. [50]

Краевая дислокация может перемещаться с большой скоростью только в активной плоскости скольжения. Винтовая дислокация может перемещаться в любой плоскости, и ее движение может вызывать поперечное скольжение. Ввиду этого винтовая дислокация может легче миновать препятствия и выбрать направление поперечного скольжения, определяемое составляющими касательного напряжения, обусловленного наличием препятствий и действием напряжений от внешней нагрузки. [51]

Краевая дислокация минует препятствие только путем восходящего движения. Если внешние нагрузки вызывают расширение решетки, то число лишних слоев атомов увеличивается. Этот процесс проявляется у введенного слоя атомов в удалении вакансий от этой точки и восходящем движении дислокаций в направлении, перпендикулярном к плоскости скольжения. В противоположном случае вакансии перемещаются к концу дислокации, и лишние слои атомов вытесняются. [52]

Краевые дислокации в InSb, состоящие из атомов сурьмы. [53]

Схемы краевой ( линейной ( а и БИНТОВОЙ ( 6 дислокаций. [54]

Краевая дислокация ( рис. 4, а) представляет собой несовершенство кристаллической решетки, при котором число атомных плоскостей 1 выше или ниже плоскости скольжения 2 неодинаково. Под действием касательных напряжений т краевая дислокация передвигается. Смешение дислокаций состоит в последовательном и параллельном перемещении исходной дополнительной плоскости / от одной соседней плоскости к другой в направлении к краю кристалла. В результате одна часть кристалла сдвигается относительно другой на одно межатомное расстояние. [55]

Краевые дислокации, расположенные перпендикулярно поверхности фольги ( торчковые дислокации), в положении кристалла, близком к отражающему, видны в виде двух лепестков - темного и светлого. Соотношение контраста зависит от положения кристалла, но направление розетки не изменяется, поскольку оно связано с ориентацией вектора Бюргерса. Если дислокация является смешанной, то могут быть видны обе пары розеток. [56]

Микрофотография следов дислокаций. Х400 ( В. Д. Садовский. [57]

Краевая дислокация может простираться в длину на многие тысячи параметров решетки, может быть прямой, но может и выгибаться в ту или другую сторону. Вокруг дислокации возникает зона упругого искажения решетки. [58]

Краевая дислокация ( рис. 11) представляет собой локализованное искажение кристаллической решетки, вызванное наличием в ней лишней атомной полуплоскости или экстраплоскости. [59]

Краевая дислокация может быть получена введением неполной атомной плоскости между двумя соседними полными плоскостями в кристалле. Винтовая дислокация образуется за счет смещения края разреза в направлении, параллельном дислокационной линии, так что образуется винтовая поверхность, которая непрерывно закручивается вокруг оси дислокации. Краевые и винтовые дислокации - основные типы дислокации: все остальные дислокации представляют их комбинации. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5