Высокотемпературное измерение

Cтраница 1

Высокотемпературные измерения можно выполнять в термостатированных кюветах с примерно таким же оптическим устройством. [1]

Результаты высокотемпературных измерений для К и Rb хорошо согласуются с данными низкотемпературных измерений с учетом температурной зависимости сдвига согласно Линдхольму. [2]

Результаты высокотемпературных измерений коэффициента линейного термического расширения кристаллов Ge и Si ( L0 - длина образцов та же) изображены на рис. 1.20. Используя эти данные, сведения по теплоемкости Cv и значения параметров, представленных в табл. 1.9, авторы [696] по формуле (1.60) рассчитали зависимость у от приведенной температуры 7У60 ( рис. 1.21) для различных полупроводников. [3]

Обозначения, используемые при расчете закороченных волноводов. [4]

При высокотемпературных измерениях необходимо ввести поправку на изменения размеров волновода и образца и ввести поправки на изменение размеров вследствие теплового расширения. Вычисления размеров волновода и образца при высоких температурах производятся на основе их коэффициентов теплового расширения и значения окружающей температуры. [5]

Схема метода Смита. [6]

При высокотемпературных измерениях и в широком диапазоне температур возникает проблема учета температурного расширения образца и контакта с токоподводами. На рис. 9.4 представлена схема прибора, позволяющего проводить измерение теплоемкости при высоких температурах с большими скоростями импульсного нагрева образца. Между подвижной втулкой и стаканом имеется зазор. [7]

Блок-схема оборудования, используемого для диэлектрических измерений с помощью коаксиальной линии. [8]

В случае высокотемпературных измерений необходимо при подгонке образца по длине и диаметру учесть его тепловое расширение. При измерениях в частотном диапазоне от 200 до 5000 Мгц точность, большую, чем 2 % для диэлектрической постоянной и 5 % 0 0001 для потерь, достигнуть трудно, но этим методом можно хорошо измерить относительные изменения диэлектрических свойств. [9]

В случае высокотемпературных измерений значительные трудности возникают не только при выборе материала эталона, но также и материала держателя образца. Все же сапфир, графит и металлы с высокой температурой плавления ( молибден, вольфрам) являются наиболее приемлемыми для этой цели. [10]

Термопары, предназначенные для высокотемпературных измерений. [11]

Сразу отметим, что отсутствуют высокотемпературные измерения. Большинство экспериментальных значений в основном группируется вокруг средней кривой. Исключение составляют данные Е. А. Столярова и других [116] при больших плотностях, дающие заметно заниженный ход по мере увеличения плотности. [12]

Перестройка магнитометра от низкотемпературных к высокотемпературным измерениям требует не более 10 мин, а смена образца с последующим вакуумированием - не более 20 минут. [13]

Вискозиметр АзНИИбурнефти для. [14]

Это делает недостоверными или даже невозможными высокотемпературные измерения. [15]

Страницы: 1 2 3 4