Ростовая дислокация

Cтраница 2

Однако эти результаты не могли быть использованы непосредственно для экономически эффективного производства бездислокационного кварца, необходимого для производства оптических деталей, так как реализация эффекта выклинивания ростовых дислокаций из пирамид нарастания граней основных ромбоэдров потребовала бы чрезвычайно длительных циклов перекристаллизации. В природных ростовых процессах фактор времени играл определяющую роль и обеспечил возможность образования уникальных по размеру и совершенству кристаллов, которые целенаправленно подбирались и использовались для подготовки первых бездислокационных затравок, необходимых для организации выпуска оптически однородных синтетических кристаллов кварца. При разрашивании таких затравок в условиях, исключающих включение в наросший материал твердых включений, образуются синтетические бездислокационные кристаллы, которые могут быть использованы как товарный оптический монокристальный кварц, а также для воспроизводства бездислокационных затравок. [16]

Структуры, иллюстрирующие объемную геометрию дислокационной полупетли в процессе послойного сполировывания поверхности. Ув. 2640. [17]

Таким образом, проведенные исследования показали, что характер фигур травления на дислокациях, возникших при 20 - 270 С, существенно отличается от тех, которые наблюдаются на ростовых дислокациях или появившихся в кристалле при повышенных температурах. Малая длина петель, небольшая глубина их залегания и специфика избирательного травления вызывают большие экспериментальные трудности при исследовании. [18]

Диаграммы сжатия Si имеют подобный вид, но напряжение начала микропластичности для Si несколько выше, чем для Ge, и составляет а - 2 35 кгс / мм2 ( рис. 108) при плотности ростовых дислокаций N 2 - 104 см-2. Кривые сжатия бездислокационных образцов Ge и Si сходны с приведенными выше, но имеют более короткие участки АВ и ВС, которые сдвинуты также в область несколько более высоких напряжений. Величины остаточных деформаций, регистрируемых датчиком перемещений после разгрузки Si от а - 6 - 9 кгс / мм2, составляют 0 3 - 0 8 мкм. [19]

Методом рентгеновской топографии мы выявили, что рельеф типа булыжной мостовой в чистом виде характерен для практически бездислокационных г-кристаллов, в то время как кристаллы, поверхность пинакоида которых покрыта акцессориями роста с активными вершинами, обязательно содержат ростовые дислокации и часто в значительных количествах. Кроме того, установили, что большинство дислокаций в кристаллах со вторым типом рельефа локализовано в ложбинах между акцессориями роста и что в вершине каждой активной акцессории обязательно выходит одна ростовая дислокация с винтовой компонентой вектора Бюргерса. Наличие ростовых дислокаций в вершинах и между акцессориями роста однозначно подтверждается результатами избирательного травления кристаллов кварца. Это дает основание предполагать, что конусовидные акцессории роста на поверхности базиса являются классическими дислокационными холмиками роста, нарастающими по известному механизму Франка. [20]

Методом рентгеновской топографии мы выявили, что рельеф типа булыжной мостовой в чистом виде характерен для практически бездислокационных z - кристаллов, в то время как кристаллы, поверхность пинакоида которых покрыта акцессориями роста с активными вершинами, обязательно содержат ростовые дислокации и часто в значительных количествах. Кроме того, установили, что большинство дислокаций в кристаллах со вторым типом рельефа локализовано в ложбинах между акцессориями роста и что в вершине каждой активной акцессории обязательно выходит одна ростовая дислокация с винтовой компонентой вектора Бюргерса. Наличие ростовых дислокаций в вершинах и между акцессориями роста однозначно подтверждается результатами избирательного травления кристаллов кварца. Это дает основание предполагать, что конусовидные акцессории роста на поверхности базиса являются классическими дислокационными холмиками роста, нарастающими по известному механизму Франка. [21]

Ростовые дислокации в синтетических кристаллах кварца были впервые обнаружены и исследованы методами избираль-ного травления, термического декорирования, а также при оценке оптической однородности наросшего материала по теневым проекциям. Было установлено, что ростовые дислокации ориентированы почти нормально к поверхности роста. В пирамиде с они образуют расходящиеся в пределах до 25 пучки. [22]

Результаты рентгеновского исследования подтверждают, что образование поверхностей вырождения не связано с дислокационным строением кристаллов. Если же в кристалле имеются ростовые дислокации, то, попадая на границу между поверхностью вырождения и поверхностью базиса, они собираются в этой границе аналогично тому, как они собираются в наиболее глубоких ложбинах между акцессориями роста. [23]

Можно полагать, что для исследованных пленок меди и никеля ( с минимальным размером зерен около 0 5 - 1 мкм) не происходит смены механизма, контролирующего пластическую деформацию массивных металлов. Высокодисперсная структура и значительная плотность ростовых дислокаций приводят к значительному повышению уровня внутренних напряжений и, следовательно, напряжений течения. [25]

Так, в работе [378] рассмотрено образование и рост скопления прямолинейных дислокаций у плоской поверхности кристалла. Показано, что в кристалле со случайным полем внутренних напряжений, порожденным ростовыми дислокациями, интенсивность размножения дислокаций поверхностным источником существенно больше ( в 1 7 раза), чем внутренним. При этом в ходе пластической деформации кристалла длина скопления, порожденного поверхностным источником, и число дислокаций в нем могут более чем на порядок превосходить длину и число дислокаций для скопления, генерированного внутренним источником. Показано, также, что обнаруженная особенность скоплений дислокаций у поверхности может в ряде случаев оказать существенное влияние на закономерности пластичности кристаллов. При этом авторы [378, 379] исходили из следующих предпосылок: во-первых, дисперсия компонент тензора внутренних напряжений а ( х), вызываемого в точке х кристалла ростовыми дислокациями у поверхности, примерно вдвое больше, чем во внутренних точках кристалла, т.е. поле а ( х) у поверхности становится неоднородным. Во-вторых, необходимо учитывать взаимодействие генерируемых поверхностным источником дислокаций с поверхностью. [26]

Влияние режима однопроходной.| Влияние силы тока и скорости сварки на образование ГТ в металле шва. [27]

Значительная разориентиров-ка между осевыми и боковыми кристаллитами увеличивает ликвацию по границам, плотность ростовых дислокаций и вызывает ГТ. Наиболее благоприятны схема кристаллизации с изгибом кристаллитов ( 2, 3), при котором их угол срастания в центре шва близок к нулю, и многослойная сварка с полным охлаждением шва при выполнении последующего. [28]

Им соответствуют грани с характерными признаками слоистой кристаллизации и конусовидными холмиками-акцессориями роста, а именно: грани т, R и г. Несмотря на указанные морфологические признаки, представляется сомнительным, чтобы дислокационный механизм играл существенную роль в стимулировании процесса отложений вещества по этим граням. Как показывают данные рентгеновской топографии, для пирамид роста ( R) и ( г) характерна относительно высокая плотность ростовых дислокаций ( 103 - Ю4), ориентированных почти нормально к поверхности роста, причем часть дислокаций имеет винтовую компоненту. На поверхности этих граней обычно присутствует лишь небольшое число холмиков роста. [29]

Им соответствуют грани с характерными признаками слоистой кристаллизации и конусовидными холмиками-акцессориями роста, а именно: грани т, R и г. Несмотря на указанные морфологические признаки, представляется сомнительным, чтобы дислокационный механизм играл существенную роль в стимулировании процесса отложений вещества по этим граням. Как показывают данные рентгеновской топографии, для пирамид роста ( R) и ( г) характерна относительно высокая плотность ростовых дислокаций ( Ю3 - Ю4), ориентированных почти нормально к поверхности роста, причем часть дислокаций имеет винтовую компоненту. На поверхности этих граней обычно присутствует лишь небольшое число холмиков роста. [30]

Страницы: 1 2 3