Ростовая дислокация
Cтраница 3
Проведенными исследованиями установлено, что одними из основных и наиболее трудно выявляемых дефектов, ухудшающих однородность пирамид с кристаллов синтетического кварца, являются ростовые дислокации. Выявление других дефектов, влияющих на оптическую однородность пирамид с, не составляет особых трудностей. Паразитные пирамиды поверхностей вырождения акцессорного рельефа легко локализуются по морфологическим признакам. [31]
Методом рентгеновской топографии мы выявили, что рельеф типа булыжной мостовой в чистом виде характерен для практически бездислокационных г-кристаллов, в то время как кристаллы, поверхность пинакоида которых покрыта акцессориями роста с активными вершинами, обязательно содержат ростовые дислокации и часто в значительных количествах. Кроме того, установили, что большинство дислокаций в кристаллах со вторым типом рельефа локализовано в ложбинах между акцессориями роста и что в вершине каждой активной акцессории обязательно выходит одна ростовая дислокация с винтовой компонентой вектора Бюргерса. Наличие ростовых дислокаций в вершинах и между акцессориями роста однозначно подтверждается результатами избирательного травления кристаллов кварца. Это дает основание предполагать, что конусовидные акцессории роста на поверхности базиса являются классическими дислокационными холмиками роста, нарастающими по известному механизму Франка. [32]
Методом рентгеновской топографии мы выявили, что рельеф типа булыжной мостовой в чистом виде характерен для практически бездислокационных z - кристаллов, в то время как кристаллы, поверхность пинакоида которых покрыта акцессориями роста с активными вершинами, обязательно содержат ростовые дислокации и часто в значительных количествах. Кроме того, установили, что большинство дислокаций в кристаллах со вторым типом рельефа локализовано в ложбинах между акцессориями роста и что в вершине каждой активной акцессории обязательно выходит одна ростовая дислокация с винтовой компонентой вектора Бюргерса. Наличие ростовых дислокаций в вершинах и между акцессориями роста однозначно подтверждается результатами избирательного травления кристаллов кварца. Это дает основание предполагать, что конусовидные акцессории роста на поверхности базиса являются классическими дислокационными холмиками роста, нарастающими по известному механизму Франка. [33]
Методом рентгеновской топографии мы выявили, что рельеф типа булыжной мостовой в чистом виде характерен для практически бездислокационных г-кристаллов, в то время как кристаллы, поверхность пинакоида которых покрыта акцессориями роста с активными вершинами, обязательно содержат ростовые дислокации и часто в значительных количествах. Кроме того, установили, что большинство дислокаций в кристаллах со вторым типом рельефа локализовано в ложбинах между акцессориями роста и что в вершине каждой активной акцессории обязательно выходит одна ростовая дислокация с винтовой компонентой вектора Бюргерса. Наличие ростовых дислокаций в вершинах и между акцессориями роста однозначно подтверждается результатами избирательного травления кристаллов кварца. Это дает основание предполагать, что конусовидные акцессории роста на поверхности базиса являются классическими дислокационными холмиками роста, нарастающими по известному механизму Франка. [34]
Методом рентгеновской топографии мы выявили, что рельеф типа булыжной мостовой в чистом виде характерен для практически бездислокационных z - кристаллов, в то время как кристаллы, поверхность пинакоида которых покрыта акцессориями роста с активными вершинами, обязательно содержат ростовые дислокации и часто в значительных количествах. Кроме того, установили, что большинство дислокаций в кристаллах со вторым типом рельефа локализовано в ложбинах между акцессориями роста и что в вершине каждой активной акцессории обязательно выходит одна ростовая дислокация с винтовой компонентой вектора Бюргерса. Наличие ростовых дислокаций в вершинах и между акцессориями роста однозначно подтверждается результатами избирательного травления кристаллов кварца. Это дает основание предполагать, что конусовидные акцессории роста на поверхности базиса являются классическими дислокационными холмиками роста, нарастающими по известному механизму Франка. [35]
Перенос заряда с образованием локальных полярных состояний энергетически выгоден в том случае, если разность потенциала ионизации донора и сродства к электрону акцептора меньше энергии кулоновского взаимодействия в полярном состоянии, возникающем благодаря переносу заряда. Поскольку величина кулоновских сил обратно пропорциональна квадрату расстояния между зарядами, то наиболее благоприятные условия для образования КПЗ создаются в локальных областях, в которых фрагменты донора и акцептора максимально сближены. Такими областями могут являться дефекты надмолекулярной структуры, ростовые дислокации, различные нарушения стехиометрии. [36]
 |
Рентгеновские голограммы ( рефлекс 1011. [37] |
Для включений первого рода характерно то, что они захватываются кристаллом в различные периоды роста как вблизи затравки, так и вдали от нее. Однако примерно так же часто можно наблюдать на рентгеновских топограммах, как захват подобных включений не сопровождается образованием дислокаций. Выпадение тонкодисперсных включений на поверхности затравки обычно сопровождается массовым зарождением ростовых дислокаций, плотность которых составляет до 105 см-2, а в отдельных случаях превосходит таковую. Кристаллы ( или участки кристаллов) с такой плотностью дислокаций имеют резко неоднородное свилеватое строение. Таким образом, мелкодисперсные включения являются одним из наиболее опасных дефектов синтетического оптического кварца. Приуроченность упомянутой фазы к поверхности затравок свидетельствует о том, что ее выделение происходит в начальный период процесса, вероятно, при вводе автоклава в режим. [38]
В литературе до сих пор появляются сообщения, в которых пытаются поставить под сомнение дислокационную природу линейных дефектов в синтетическом кварце. В качестве основных доводов выдвигаются чрезмерно большая ширина этих дефектов и их необычно сильная травимость в таких растворах, как плавиковая кислота, приводящая к образованию протяженных каналов длиной до нескольких десятков миллиметров. Однако оба указанных эффекта могут получить разумное объяснение, если предположить, что ростовые дислокации активно адсорбируют такие примеси, как вода и щелочные металлы, что должно привести к резкому локальному повышению растворимости в области, прилегающей к ядру дислокации. Основным аргументом, подтверждающим дислокационную природу линейных дефектов, является, конечно, наблюдающийся дифракционный контраст. [39]
 |
Рельефы пиггакоида. [40] |
Все сказанное выше о соответствии между характером рельефа поверхности пинакоида и дислокационным строением пирамид роста, казалось бы, позволяет предложить надежный морфологический критерий оценки однородности этих кристаллов. В действительности, однако, все обстоит значительно сложнее. По мере отработки технологии выращивания кристаллов оптического кварца было установлено, что трудно избежать образования ростовых дислокаций в кристалле в процессе роста. Образование рельефа типа булыжная мостовая в чистом виде является лишь предельным случаем. Более характерно - формирование различных комбинированных типов рельефа. [41]
Зачастую это свойство дислокаций может быть использовано для распознавания поверхности роста на поверхности растворения. При выращивании кристаллов оптического кварца в некоторых случаях под экраном в результате затрудненной диффузии раствора процессы роста чередуются с процессами растворения. В результате образуется поверхность со сложным рельефом и с глубокими ложбинами, образовавшимися, очевидно, в результате частичного растворения кристалла. Рентгеновская топограмма такого образца показывает, что в отдельных участках действительно имело место растворение: ростовые дислокации срезаются поверхностью растворения под. Места изгиба дислокаций соответствуют тому уровню, до которого происходило растворение и от которого началась регенерация кристалла. [42]
Страницы: 1 2 3