Новая дислокация

Cтраница 3

Многократное повторение этого взаимодействия приводит к слиянию новых дислокаций д [001], что, в конце концов, вызывает образование зародышевой трещины. Схема Коттрелла не требует наличия барьеров для дислокации в исходном состоянии. Барьеры, а затем дислокационные скопления и трещины образуются в результате пластической деформации. Иногда трещина образуется не у вершины скопления, а внутри него. Отрыв по плоскости скольжения происходит под действием нормальных напряжений. Они возникают в результате искривления плоскостей скольжения дислокациями, располагающимися в других плоскостях. Искривление поверхности скольжения при сдвиге вдоль нее вызывает появление нормальных напряжений. Эта схема, предложенная В. Л. Инденбомом, реализуется после значительной пластической деформации. [31]

Многократное повторение этого взаимодействия приводит к слиянию новых дислокаций [001], что в конце концов вызывает образование зародышевой трещины. Схема Коттрелла не требует наличия барьеров для дислокаций в исходном состоянии. Барьеры, а затем дислокационные скопления и трещины - образуются в результате пластической деформации. [32]

Схемы зарождения трещин у дислокационных скоплений. а - по Стро. б - no A. H. Орлову.| Схема термофлуктуационного зарождения трещин в плоском дислокационном скоплении ( В.И. Владимиров, А.Н. Орлов. [33]

Многократное повторение этого взаимодействия приводит к слиянию новых дислокаций а [001], что, в конце концов, вызывает образование зародышевой трещины. Схема Коттрелла не требует наличия барьеров для дислокации в исходном состоянии. Барьеры, а затем дислокационные скопления и трещины образуются в результате пластической деформации. Иногда трещина образуется не у вершины скопления, а внутри него. Отрыв по плоскости скольжения происходит под действием нормальных напряжений. Они возникают в результате искривления плоскостей скольжения дислокациями, располагающимися в других плоскостях. Искривление поверхности скольжения при сдвиге вдоль нее вызывает появление нормальных напряжений. Эта схема, предложенная В. Л. Инденбомом, реализуется после значительной пластической деформации. [34]

Влияние степени пластической деформации Р на механические свойства низкоуглеродистой стали. [35]

Повышение плотности дефектов кристаллического строения затрудняют движение отдельных новых дислокаций, а следовательно, повышают сопротивление деформации и уменьшают пластичность. Наибольшее значение имеет увеличение плотности дислокаций, так как возникающее при этом между ними взаимодействие тормозит дальнейшее их перемещение. Напряжение сдвига т растет пропорционально корню квадратному из плотности дислокаций р: т - - - - т - - abG / р; где т - напряжение сдвига до деформации, Ь - вектор Бюргерса и а - коэффициент, зависящий от типа решетки и состава сплава. [36]

Повышение плотности дефектов кристаллического строения затрудняет движение отдельных новых дислокаций, а следовательно, повышает сопротивление деформации и уменьшает пластичность. [37]

Повышение плотности дефектов кристаллического строения затрудняют движение отдельных новых дислокаций, а следовательно, повышают сопротивление деформации и уменьшают пластичность. Наибольшее значение имеет увеличение плотности дислокаций, так-как возникающее при этом между ними взаимодействие тормозит дальнейшее их перемещение. Напряжение сдвига т растет пропорционально корню квадратному из плотности дислокаций р: т т0 - ( - abG J / p; где т0 - напряжение сдвига до деформации, Ъ - вектор Бюргерса и а - коэффициент, зависящий от типа решетки и состава сплава. [39]

Наклонная граница в поликристалле. [40]

Поверхности раздела могут быть источниками, генерирующими образование новых дислокаций. При этом вблизи границ под действием внешних напряжений возникают дислокационные скопления и соответствующий им энергетический барьер. Имеются экспериментальные доказательства высокой плотности дислокаций именно в приповерхностном слое [ 56, с. По мере удаления от поверхности кристаллов наблюдается снижение плотности дислокаций. В опытах с фторидом лития, например, было обнаружено, что плотность дислокаций падает примерно на 30 % на участке глубиной до 5 мкм, а затем остается постоянной. В связи с этим поверхностные участки кристаллических тел деформируются раньше глубинных и имеют более низкие стартовые напряжения движения дислокаций на начальной стадии пластического течения. При деформации происходит значительное упрочнение кристаллических тел в их ловерхностных слоях на глубину 50 мкм. Многие наблюдаемые поверхностные эффекты деформации и разрушения дисперсных структур объясняются тем, что в поверхностной области образуется слой с повышенной плотностью дислокаций, который действует как энергетический барьер, задерживая дислокации, генерированные в процессе деформации внутренними источниками. [41]

Однако и линия, и вектор Бюргерса этой новой дислокации лежат в плоскости ( 001), которая в ГЦК-решетке не является плоскостью легкого скольжения. [42]

Флуктуации энергии и повышение температуры не способны создать новую дислокацию. Так как число дислокаций не зависит от температуры, то термодинамическая равновесная концентрация их должна быть равна нулю. Однако в металлах из-за низких барьеров Пайерлса - Набарро1 даже небольших термических напряжений, возникающих при кристаллизации или при охлажденных после отжигов, достаточно, чтобы вызвать пластическую деформацию и появление дислокаций. Тем более это легко реализуется при внешних механических воздействиях. Поэтому в металлах начальная плотность дислокаций всегда существует как следствие предшествовавших силовых воздействий и ни при каких отжигах невозможно уменьшить плотность дислокаций до нуля. Бездислокационными в настоящее время получают лишь кристаллы с ковалентными связями ( германий, кремний и т.п.), поскольку такие связи характеризуются высокими барьерами Пайерлса - Набарро. [43]

Согласно модели Зегера [44], деформация осуществляется при движении новых дислокаций, которые проходят путь Ld и останавливаются у барьеров Л - К. [44]

Движение краевой дислокации с образованием ступеньки единичного сдвига на поверхности кристалла. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5