Новая дислокация
Cтраница 5
Интересно подчеркнуть, что если получены бездислокационные кристаллы материалов с ковалентными связями, то зарождение новых дислокаций в них сильно затруднено. Дэш показал, что тепловые напряжения, возникающие в бездислокационном кристалле Ge при кратковременном выведении его из расплава с последующим погружением, не создают каких-либо дислокаций. Вероятно, новые дислокации значительно легче образуются при наличии уже существующих. Например, в кристалле с плотностью дислокаций 103 см-2 после его выведения из расплава и последующего погружения плотность дислокаций возрастает более чем до 10е см-2. [61]
Действительно, после приложения нагрузки в металле при повышенных температурах протекают два процесса: 1) образование новых дислокаций и их задержка около препятствия и 2) освобождение от препятствий задержанных дислокаций. При этом процесс может протекать так, что число дислокаций, задержанных препятствиями, будет или увеличиваться, или уменьшаться, или же, наконец, оставаться постоянным. Однако изменение числа дислокаций, задержанных препятствиями, является еще ие единственным фактором, обусловливающим скорость толзучести. Следует учитывать также и поведение самих препятствий, - которые не являются абсолютно стабильными и передвижение ( диффузия) которых, приводит к освобождению блокированных дислокаций. Следовательно, в каждый данный момент имеется некоторое число дислокаций, подготовленных к движению, и это число предопределяет скорость ползучести. Число подготовленных к движению дислокаций зависит, таким образом, от числа дислокаций, задержанных препятствиями, что определяется интенсивностью генерирования источников дислокаций и от степени стабильности самих препятствий, что определяется в первую очередь диффузионными константами металла. [62]
Влияние субструктуры на предел скольжения главным образом определяется взаимодействием движущихся дислокаций и границ субзерен при данной скорости образования новых дислокаций. Внутри субзерен плотность дислокаций относительно низка и составляет около 104 - 106 Нем 2, даже при предельной деформации. [63]
В настоящее время имеются работы [642-644], в которых наблюдалось изменение исходной дислокационной структуры, а также образование новых дислокаций в кристаллах под действием УЗК. [64]
Остается предположить, что именно кислород, окисляя поверхность германия, мешает двумерному росту на ней и является причиной образования новых дислокаций. Действительно, повышение давления кислорода в камере до 5 - Ю 5 мм рт. ст. во время 15-минутного перерыва в осаждении вызывает окисление подложки и связанные с этим явления - трехмерный рост и образование большого числа новых дислокаций во втором эпитаксиальном слое. Если давление 5 - 10 - 5 мм рт. ст. поддерживается во время роста эпитаксиального слоя, то новые дислокации возникают не только в начале, но и во время всего роста. [65]
Для исследования этого вопроса Стоке 126 ] применил вторичную обдувку образцов, отожженных в течение двух часов, введя таким образом, новые дислокации в дополнение к тем, которые уже были состарены в результате предыдущего отжига. Затем подвижность этих новых дислокаций была определена по значениям предела текучести, полученным в изгибных испытаниях. Представленные на рис. 7 результаты показывают, что под влиянием промежуточных отжигов сопротивление решетки движению дислокаций увеличивается лишь в незначительной степени. На этом основании можно сделать вывод, что старение дислокаций, наблюдаемое после отжигов, обусловлено главным образом постепенным запиранием дислокаций примесями по мере того, как режимы отжига становятся более тяжелыми. После того, как было установлено, что отжиг вызывает охрупчивание монокристаллов ионной керамики, встал вопрос, сохранится ли этот эффект в случае поликристаллических тел. В табл. 3 результаты их экспериментов представлены в виде констант, применяемых в теории Вейбулла, значение которых будет пояснено ниже. Кроме сведений о влиянии отжига, табл. 3 содержит большое количество другой полезной информации. Как можно видеть, в результате отжига происходит значительное увеличение значений т и 00, в то время как значение нулевой прочности а падает до нуля. [67]
Представляло интерес выяснить, какая из компонент остаточной атмосферы рабочей камеры адсорбируется на поверхности германия и является причиной трехмерного роста и образования новых дислокаций. Поскольку соединения германия с азотом неизвестны, осталось две компоненты в остаточной атмосфере, которые могли вызвать загрязнение поверхности германия. [68]
Страницы: 1 2 3 4 5