Линейная дислокация

Cтраница 3

Ясно также, что при линейных дислокациях Ri и Rz одна из двух дислокаций не дает контраста. [31]

Посторонние примеси имеют тенденцию собираться у линейных дислокаций и дырок по границам зерен. Роль этих сегрегации в процессе электрохимической коррозии металлов может быть различной: увеличение растворимости металла, облегчение образования питтингов в местах скопления дислокаций ( субграницах), изменение характера коррозионного разрушения. [32]

Вид под микроскопом декорированных дислокаций и межблочных границ в кристалле KCl-AgCl ( 7 мол. % в расплаве при 120-кратном увеличении. [33]

Это означает, что в случае линейной дислокации лишний атомный слой должен содержать атомы обоих элементов в эквивалентных количествах или должен состоять из двух слоев - слоя атомов металла М и неметалла X. При этом на краю вдоль линии дислокации могут находиться либо атомы только одного элемента ( М или X), либо атомы обоих элементов. Например, в CdS могут быть S-дислока-ции, Cd-дислокации и ( S Cd) - дислокации. [34]

Менее очевидно установление характера взаимодействия между линейными дислокациями одного знака, но относящимися к различным плоскостям скольжения, хотя принцип остается тот же самый. [35]

Необходимым условием появления на картине муара аномалии, обусловленной линейной дислокацией, является существование последней лишь в одной из совмещенных пленок. Если линия дислокации проходит через обе решетки, то соответствующая аномалия не наблюдается. [36]

Рассмотрим краевую или, как ее еще называют, линейную дислокацию на примере кристалла простой кубической структуры. [37]

Так как движение связанной дислокации затруднено по сравнению со свободной линейной дислокацией, то становится ясным упрочняющее влияние некоторых легирующих примесей, которые присутствуют в виде растворов внедрения. [38]

Схема развития пластической деформации. [39]

Таким образом, пластическую деформацию скольжением можно рассматривать как движение линейных дислокаций вдоль плоскости скольжения под влиянием тангенциальных напряжений т весьма небольшой величины, а не как одновременный сдвиг одной части кристалла относительно другой, для чего потребуется напряжение т весьма большой величины. [40]

На рис. 4.20 показана картина искажения решетки до и после сближения разнозначных линейных дислокаций, расположенных на смежных параллельных плоскостях; в одном случае - с перекрытием, в другом - с разрывом. [41]

К двумерным ( плоскостным) дефектам относятся границы между зернами кристаллов, ряды линейных дислокаций. Сама поверхность кристалла тоже может рассматриваться как двумерный дефект. [42]

К двумерным ( плоскостным) дефектам относятся границы меж ду зернами кристаллов, ряды линейных дислокаций. Сама поверх ность кристалла может рассматриваться как двумерный дефект. [43]

Край 3 - 3 такой плоскости образует линейный дефект ( несовершенство) решетки, который называется линейной дислокацией. Линейная дислокация может простираться в длину на многие тысячи параметров решетки, может быть прямой, но может и выгибаться в ту или другую сторону. Вокруг дислокации возникает зона упругого искажения решетки. [44]

Дислокация в кристаллической решетке. [45]

Страницы: 1 2 3 4