Линейная дислокация

Cтраница 4

Край 3 - 3 такой плоскости образуют линейный дефект ( несовершенство) решетки, который называется линейной дислокацией. Линейная дислокация может простираться в длину - на многие тысячи параметров решетки, может быть прямой или выгибаться в ту или иную сторону. Дислокации, как известно, могут быть и других видов. [46]

Первое кажется естественным, второе же лишний раз подчеркивает, что для сплошного тела решение, соответствующее линейной дислокации, физически невозможно, оно непригодно для ядра дислокации и оценка энергии ядра должна производиться на основе каких-то других соображений, выходящих за рамки линейной теории упругости. [47]

К двухмерным ( плоскостным) дефектам кристаллов относятся границы между зернами кристаллов, внешняя поверхность кристалла и ряды линейных дислокаций. Кроме того, реальный кристалл состоит из большого числа малых блоков, немного дезориентированных друг относительно друга. [48]

Такое несовершенство структуры будет наблюдаться вдоль всего ряда 6 - 6; оно носит линейный характер и называется линейной дислокацией. Дислокации возникают уже в процессе первичной кристаллизации, и их следует рассматривать как неизбежные дефекты строения кристаллических тел. [49]

При указанной модели несоответствие параметров веществ подложки ( а) и осадка ( Ь) может быть описано как линейная дислокация. Например, если несоответствие таково, что 99 или 101 атом осадка приходится на 100 потенциальных ям подложки, то большинство частиц будет находиться вблизи от дна этих ям, но в некотором малом районе одна яма будет пропущена или, наоборот, заполнена двумя частицами. Именно этот район и представляет собой дислокацию. [50]

Схема перемещения винтовой дислокации путем скольжения. [51]

Перемещение винтовых дислокаций происходит несколько сложнее, но по тому же принципу и так же легко, как и линейных дислокаций. Схема перемещения винтовой дислокации показана на рис. 16: рис. 16, а соответствует начальному состоянию, при котором эта дислокация расположена в пределах рядов 3 - 6; рис. 16, б - измененному положению дислокации, сместившейся на одно межатомное расстояние влево. [52]

В первом из них, продолжавшемся вплоть до 1950 г., развивалась теория для простых дислокационных комплексов, обычно представляющих собой линейные дислокации в бесконечной изотропной среде или в конечных телах с простыми границами. Этот период включает в себя работы, выполненные итальянской школой, и затем Орованом, Поляни, Тимпом, Тейлором, Бюргерсом, а также другими авторами. Во втором периоде ( с 1950 по 1965 г.) число работ по теории дефектов возросло. [53]

Как уже указывалось выше, поликрпсталлические волокна имеют зернистую структуру с границами раздела между зернами; эти границы многие авторы рассматривают как линейные дислокации. Наиболее четко зернистая структура выявляется для борного волокна, причем отдельные партии волокна могут отличаться по размерам зерен. Волокнам, полученным в многокамерных аппаратах, свойственна слоистая структура, напоминающая ежегодные кольца роста древесины. Борное волокно имеет ряд дефектов различного происхождения, например наросты в виде бугорков различных размеров вплоть до 250 мкм, радиальные трещины, образующиеся в результате напряжений, возникающих в процессе роста оболочки, глубина которых простирается до места, где растягивающие напряжения переходят в сжимающие. [54]

Схема слоистого роста кристалла ( а и распределение возникающих дислокаций ( б. [55]

В прилегающих микрослоях параметры кристаллической решетки основы и примеси будут отличаться, вследствие чего на поверхности раздела между этими слоями возникают упругие деформации, в результате этого образуются линейные дислокации, уменьшающие энергию упругой деформации. [56]

Дислокации, образованные за счет микросегрегации и выявленные методом термального травления ямок у границ ячейки ( ср. с 17. [57]

Возвращаясь теперь к механизму накапливания дислокации внутри кристалла, отметим, например, что упругое напряжение, вызванное наличием внутри кристаллической матрицы частиц второй фазы, можно уменьшить сетью линейных дислокаций на соответствующей поверхности раздела. Аналогично область кристалла с параметрами, отличающимися от параметров остальной части кристалла, будет генерировать упругое напряжение, которое может быть уменьшено сетью дислокаций. Это то, что происходит в тех областях в которых имеет место микросегрегация в процессе охлаждения так как области с высокой концентрацией растворенного вещества имеют, как правило, параметры решетки, отличающиеся от тех, которые имеются в более чистых областях. [58]

При небольших температурах нагрева холоднодеформирован-ного металла ( выше 0ЗТПЛ, где Тпл - абсолютная температура плавления металла) происходит снятие остаточных напряжений, искажений кристаллической решетки и взаимное уничтожение линейных дислокаций различных знаков за счет возросшей подвижности атомов, однако волокнистая микроструктура металла остается неизменной. [59]

Страницы: 1 2 3 4