Импульсное возбуждение

Cтраница 1

Импульсное возбуждение было также применено для исследования явлений, связанных с ловушками и пространственными зарядами. Хоустри [193] наблюдал, что примеси в количестве 10 на один миллион оказывают влияние на захват электронов и дырок. [1]

Импульсное возбуждение активной среды широко применяется в настоящее время. Более длинные импульсные токи обычно получают, модулируя напряжение питания разряда постоянного тока. [2]

При импульсном возбуждении нагруженного на ОК вибратора в нем возникают свободно затухающие колебания с несущими частотами в диапазонах А и В. При этом несущая частота в диапазоне А обычно 0 3 / о - В зоне дефекта частота снижается тем сильнее, чем меньше модуль его механического импеданса. [3]

При импульсном возбуждении в вибраторах свободных колебаний их несущие частоты, зависящие от механического импеданса ОК, устанавливаются автоматически и не регулируются. Поэтому резонансные режимы, повышающие чувствительность при работе вынужденными колебаниями, здесь невозможны. В результате при работе с совмещенными преобразователями импульсные дефектоскопы по чувствительности уступают дефектоскопам, использующим непрерывные колебания. Однако благодаря применению РС-преобразователей импульсные дефектоскопы обнаруживают более глубокие дефекты. [4]

При импульсном возбуждении о-нитротолуола происходит перенос водорода от ме-тилыюй группы на нитрогруппу и образуется окрашенный изомер, который быстро переходит обратно в исходную форму. На рис. 6.13 приведены спектры фотоизомерных форм о-нитротолуола, полученных с помощью импульсного фотолиза. Перегнанный в вакууме о-нитротолуол растворяют в спирте. Затем измеряют кинетику затухания короткоживущей формы при различных длинах волн. Определяют константы скорости гибели и строят спектры поглощения изомерных короткоживущих форм. [5]

При импульсном возбуждении люминесценции можно наблюдать [188, 190, 191] изменение во времени отдельных компонент света люминесценции Ix ( t) [ или / г ( t) ], где / отсчитывается от момента снятия ( выключения) импульса. [6]

При импульсном возбуждении колебаний вибратора мерой вязкости является скорость или частота затухания свободных колебаний, а при непрерывных колебаниях-кх амплитуда, частота или фаза. [7]

Если используется импульсное возбуждение, то, поскольку собственные функции спинового гамильтониана пары не являются чистыми спиновыми состояниями, временная эволюция промежуточных парных состояний должна приводить к осцилляции бимолекулярной скорости. Это было показано в работе Чабра и др. [63], где наблюдались квантовые осцилляции затухания быстрой флуоресценции тетрацена, в котором происходило деление синглетных экситонов. Предположим, что в момент времени t О при делении синглетного экситона образуется пара триплетных экситонов. Так как процесс деления является быстрым по сравнению с временем прецессии триплетного спина, в начальный момент полный спин пары триплетов равен спину синглетного состояния. Только что созданные триплеты включаются в диффузионное движение и могут либо диссоциировать, либо рекомбинировать с образованием исходного синглетного экситона. [8]

Экспериментальная методика импульсного возбуждения, которую применяли Кеплер и Ле Блан ( см. [82, 95]) для измерения подвижности носителей зарядов у антрацена, широко использовалась для получения информации о природе процесса генерирования носителей и о роли примесей при генерировании и перемещении носителей. Например, Сильвер и др. [191] недавно получили доказательство того, что если применять слабо поглощаемый ( - 4350 А) очень интенсивный свет, то к образованию носителей зарядов ( кроме поверхностного генерирования носителей посредством некоторых экситонных процессов) могут приводить экситон-экситонные взаимодействия в объеме кристалла антрацена. Наблюдавшаяся в этом процессе скорость формирования носителей находится в удовлетворительном согласии с теоретически рассчитанными значениями, которые получили Чой и Раис [192] для процесса формирования пар носителей посредством синглет-синглетной аннигиляции экситонов ( см. дополнение к главе Люминесценция и перенос энергии, стр. [9]

Блок-схема вискозиметра со схемой сравнения по двум уровням. [10]

Приборы с импульсным возбуждением некомпенсационные, основанные на измерении коэффициента затухания, разделяются на приборы со схемой сравнения, приборы, основанные на интегральном методе, и приборы с логарифматором. [11]

Эхолот с ультразвуковым датчиком. [12]

Часто применяется и импульсное возбуждение ультразвуковых излучателей. [13]

Триплет-триплетная аннигиляция при импульсном возбуждении наблюдается очень часто, особенно при больших концентрациях триплетных молекул. Частично этот процесс связан с переводом одной из триплетных молекул в синглетнр-возбуж-денное, а второй - в основное состояние. Константа скорости триплет-триплетной аннигиляции является диффузионной и составляет 109 - f - 1010 М - - с 1 для обычных невязких растворителей. Энергия активации триплет-триплетной аннигиляции совпадает с энергией активации диффузии. Таким образом, лимитирующей стадией триплет-триплетной аннигиляции является диффузия триплетных молекул. [14]

Во-вторых, положительным моментом импульсного возбуждения является возможность повышения давления рабочей среды лазера. Можно показать, что при сохранении параметра Е / р0 постоянным на квазистационарной фазе разряда степень ионизации газа составляет пе / пд f ( Ejpoj и, следовательно, пеоор. Повышение давления рабочей среды важно по ряду причин. Во-вторых, рост давления приводит к уширению, а в некоторых лазерах с большим числом линий генерации и к перекрытию отдельных линий усиления. Это открывает возможность непрерывной перестройки частоты генерации лазера, что является необходимым условием для их успешного применения в процессах селективной лазерной технологии. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5