Импульсное возбуждение

Cтраница 3

Температурные зависимости коэффициентов диффузии ряда примесей в карбиде кремния. [31]

Время нарастания и спада фотолюминесценции при импульсном возбуждении составляет миллисекунды при Г 300 К. Внутренняя квантовая эффективность фотолюминесценции карбида кремния, легированного бором, может составлять десятки процентов. [32]

Экспериментальное подтверждение того, что при импульсном возбуждении фосфоров с рекомбинационной люминесценцией начальная интенсивность свечения действительно пропорциональна квадрату интенсивности возбуждения [22], явилось важной вехой в становлении современных взглядов на природу люминесценции кристаллофосфоров. Следует подчеркнуть, что здесь речь идет именно о начальной интенсивности свечения. Что же касается всей излучаемой люминофором световой энергии, то при отсутствии тушения она, естественно, остается пропорциональной поглощенной энергии, так как в противном случае был бы нарушен закон сохранения энергии. [33]

Как и в случае поверхностного оптического нагрева, импульсное возбуждение позволяет стимулировать изделия на частотах, которые трудно или невозможно получить с использованием периодических тепловых волн. [34]

Энергетические уровни [ IMAGE ] С. Зависимость относи-возбужденных состояний фе - тельной константы триплет-нантрена ( I и нафталина ( II триплетного переноса энергии. [35]

Примером триплет-триплетного переноса энергии в жидком растворе при импульсном возбуждении может служить система нафталин - фенантрен. [36]

Постоянные времени нарастания и спада импульса излучения при импульсном возбуждении светодиодов характеризуют их инерционные свойства. Эти параметры измеряются между значениями яркости 0 1 и 0 9 максимальной величины. Инерционность светодиодов определяется временем перезаряда емкости прибора. Для светодиодов значения постоянных времени составляют доли микросекунд. [37]

В случае, если энергия, сообщаемая при импульсных возбуждениях конструкции двигателей, находится в фазе с вибрацией, происходящей на собственной частоте, то возникает условие псевдорезонанса. [38]

Отклик на импульсное. [39]

В технической литературе принято полностью отождествлять понятия отклика на импульсное возбуждение и весовой функции. [40]

Иногда наблюдается не поглощение, а просветление образца при импульсном возбуждении, например уменьшение синглет-синглетного поглощения при переходе части молекул в триплетное состояние. Рассмотрим осциллограмму, представленную на рис. 6.15. Линия а-а является линией полного поглощения света, линия б-б является линией 100 % - ного пропускания: света до вспышки и при возвращении системы в исходное состояние после вспышки. Кинетическая кривая характеризует просветление образца после импульсной вспышки. [41]

Энергетические уровни синглетных и триплетных состояний фенантрена и нафталина.| Зависимость относительной константы триплет - триплетного переноса энергии от энергетической разности триплетных энергий донора и акцептора. [42]

Примером триплет - триплетного переноса энергии в жидком растворе при импульсном возбуждении может служить система нафталин - фенантрен. При увеличении концентрации нафталина уменьшается триплет - триплетное поглощение фенантрена и появляется триплет - триплетное поглощение нафталина. [43]

Инерционность светодиодов характеризуется постоянными времени разгорания и затухания электролюминесценции при импульсном возбуждении светодиодов, которые принято измерять между яркостями излучения 0 1 и 0 9 от максимальной. Как и частотные свойства выпрямительных диодов, инерционность светодиодов может определяться временем перезаряда барьерной емкости р-л-перехода и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей заряда. В связи с малыми временами жизни неосновных носителей, характерных для исходных материалов светодиодов, инерционность их оказывается достаточно малой: постоянные времени затухания электролюминесценции не превышают долей микросекунды. Для систем записи и считывания информации без визуализации постоянные времени могут быть, наоборот, одними из наиболее существенных параметров светодиода. [44]

В схемах, использующих положительные обратные связи ( с самовозбуждением, независимым импульсным возбуждением и в схемах, рассмотренных в § 9 - 3) и имеющих выходной трансформатор с нулевым выводом, количество транзисторов в плече может быть уменьшено до двух. Аварийный ток, выводящий из строя предохранитель и определяемый отношением напряжения источника питания к активному сопротивлению этой полуобмотки и предохранителя, обычно достаточно велик. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5