Cтраница 3
Еще одним примером использования реакций с поверхностью для определения коэффициентов диффузии экситонов является работа Хаарера и Кастро [144] по исследованию монокристаллов фенантрена. В этих кристаллах перенос энергии в процессе реабсорбции флуоресценции минимален, так как по сравнению с антраценом они имеют низкий квантовый выход флуоресценции и значительно меньший ( приблизительно в десять раз) коэффициент синглетного поглощения. Можно обрабатывать кристаллы таким образом, чтобы образовывались поверхности с полным тушением, но существует также возможность приготовить кристаллы с поверхностью, на которой не происходит тушения. Для таких поверхностей кристалла градиент плотности синглетных экситонов на поверхности при х 0 равен нулю. На поверхности с полным тушением [ S ] ( 0) 0, и график зависимости экситонного потока на поверхность от обратного коэффициента поглощения дает длину диффузионного смещения без поправок / ( с) 1500 А. [31]