Термическое возбуждение

Cтраница 2

Образование энергетических зон при сближении атомов натрия.| Функция распределения электронов по энергиям dn / dE в проводнике ( а и в полупроводнике и диэлектрике ( б. [16]

При нагреве происходит термическое возбуждение электронов. В некоторых кристаллах часть валентных электронов, преодолев зону запрещенных энергий, попадает в свободную зону, и появляется проводимость; их называют полупроводниками. [17]

Первые возникают при термическом возбуждении атомов в вольтовой дуге или высоковольтной искре. В видимой области эти спектры состоят из окрашенных линий па темном фоне. Абсорбционные спектры получают пропусканием белого света ( от накаленного твердого тела) сквозь слой исследуемого вещества. В видимой области спектр состоит из темных линий или полос на светлом фоне. [18]

Гетеролитический разрыв связи при термическом возбуждении веществ в газовой фазе не происходит. [19]

Возвращаясь к задаче о термическом возбуждении звука, следует прежде всего указать на сопротивление, которое способно дать описанный выше эффект. [20]

Схема энергетических зон. [21]

При приближении к абсолютному нулю термическое возбуждение оказывается недостаточным, и полупроводники становятся диэлектриками, а металлы становятся сверхпроводниками. [22]

Схема энергетических зон. [23]

При приближении к абсолютному нулю термическое возбуждение оказывается недостаточным и полупроводники становятся диэлектриками, а металлы становятся сверхпроводниками. Чем выше температура и чем более интенсивно полупроводник облучается квантами с энергией hv не меньше ДЕ, тем больше проводимость собственно полупроводника, так как увеличивается число электронов, перебрасываемых из валентной зоны в зону проводимости. [24]

Процессы переноса и нагрева ( термического возбуждения) в плазме находятся в тесной взаимной связи; заданной величине тока в стволе соответствует некоторое вполне определенное состояние плазмы ( прежде всего температура), так же как и градиент напряжения области ствола. [25]

Эти связи характеризуются высокими энергиями термического возбуждения валентных колебаний атомов, сопровождающихся изменениями расстояний между соседними валентносвязанными атомами. В результате такого возбуждения открывается возможность для всякого рода структурных изменений, в действительности наблюдаемых в критической области температур, нижняя граница которой отвечает началу возбуждения валентных колебаний. [26]

В спектрально-аналитической литературе иногда под термическим возбуждением понимают возбуждение за счет соударений с атомами, противопоставляя его электронному возбуждению, осуществляющемуся за счет соударений с электронами. Такая классификация процессов, однако, неправильна. Характеристикой термического возбуждения спектра является распределение атомов по возбужденным состояниям, согласно (4.2), что является следствием одновременного выполнения условий (4.1) для распределения частиц по скоростям и равновесия между неупругими соударениями первого и второго рода. Вопрос о том, какие частицы являются непосредственно возбуждающими, определяется исключительно температурой газа. [27]

При более высоких температурах важным становится термическое возбуждение электронов в металле, приводящее к увеличению тока эмиссии, поскольку электроны, обладающие большими энергиями, чем уровень Ферми, имеют более низкий барьер, через который они должны туннелировать. При еще более высоких температурах эмиссия осуществляется как за счет туннелирования, так и за счет термического возбуждения, превосходящего барьер. [28]

В отличие от плазмы полупроводников, термическое возбуждение плазмы металлов невозможно. [29]

Однако с повышением температуры, вследствие термического возбуждения электронов валентной зоны, часть из них может приобрести энергию, достаточную для преодоления запрещенной зоны и перехода в зону проводимости. Последняя превращается тогда в частично занятую, а в ранее целиком заполненной валентной зоне появляются вакансии, но - которым может происходить движение электронов. [30]

Страницы: 1 2 3 4