Термическое возбуждение

Cтраница 3

Параллельно с генерацией электронно-дырочных пар за счет термического возбуждения в полупроводнике происходит рекомбинация электронов и дырок. Электроны проводимости, встречая пустые места в валентной зоне - дырки, заполняют их. Одновременное действие этих процессов приводит к установлению в полупроводнике равновесия, характеризующегося равновесной концентрацией зарядоноси-телей. [31]

Это выражение показывает, что в случае термического возбуждения основными факторами, определяющими интенсивность света излучаемой спектральной линии при постоянной концентрации возбужденных атомов, являются энергия возбужденного уровня и температура источника возбуждения, поскольку величины Атп, v, gm, go одного порядка для большинства переходов. [32]

У изоляторов запрещенная зона настолько широка, что термическое возбуждение не может изменить энергетического состояния электронов. Поэтому при всех температурах зона проводимости остается свободной от электронов. [33]

Аналогично внутренняя энергия молекулы этилена за вычетом энергии термического возбуждения может быть вычислена исходя из энергии разрыва двойной связи С С в этилене, энергии разрыва связи С - Н в образующихся двух частицах СН2 и энергия разрыва связи в свободных радикалах СН. [34]

При достаточно глубоком охлаждении составляющая шума, вызванная термическим возбуждением, может быть сделана много меньшей, чем радиационная составляющая. [35]

На основании выше сказанного все химические процессы с термическим возбуждением в зависимости от состава активного комплекса можно подразделить на следующие. [36]

Подобно тому, как роль тяжелых частиц в термическом возбуждении и распаде молекул исследуется в ударных волнах, где благодаря задержке ионизации влияние электронов можно свести к минимуму, так и роль электронного удара можно выяснить, исследуя неравновесные системы при пониженных давлениях, где вследствие разрыва энергий электронов и тяжелых частиц возбуждение обусловлено только электронами. Удобным объектом для этого, в частности, является возбуждение молекул электронным пучком и электрический разряд при пониженном давлении. [37]

При всех температурах, отличных от абсолютного нуля, термическому возбуждению подвергаются не только электроны примесных атомов, но и электроны валентной зоны. [38]

Схема прибора Кинга 808 80 Понятно, что такие опы-для исследования термической ты легче всего удаются с газами, ионизации паров щелочных ме - имеющими наиболее низкие по-таллов. тенциалы ионизации, т. е. с парами. [39]

В парах ртути ( ионизационный потенциал 10 4 в) термическое возбуждение и термическая ионизация имеют место в разряде в отшнурованном положительном столбе при давлении паров ртути в 1 атмосферу и выше. [40]

Сильное влияние, которое оказывает на спектр поглощения многоатомных молекул термическое возбуждение, было открыто Анри. Он показал, что повышение температуры до 200 - 300 С полностью изменяет вид спектра поглощения: резкие полосы размываются и появляется континуум. В случае бензола это изменение спектра не сопровождается разложением и происходит обратимо для данного количества паров. [41]

Перечисленные процессы характеризуются тем, что для их протекания необходимо термическое возбуждение системы. Соответственно при малых температурах эти процессы имеют ничтожно малую интенсивность. [42]

В спектрах поглощения при достаточно низкой температуре, когда отсутствует термическое возбуждение колебательных уровней с vi О, секвенции не наблюдаются, так как в каждой из них остается не более чем по одной полосе. [43]

Свободные носители тока в полупроводнике могут существовать не только благодаря термическому возбуждению кристалла, но и в результате внешних воздействий. Для этого энергия фотона должна быть не меньше ширины запрещенной зоны. Каждый поглощенный фотон рождает дополнительно пару электрон-дырка. В результате при освещении концентрация свободных носителей становится выше равновесной. Поэтому возбуждаемые светом носители тока называют неравновесными. Обусловленное светом увеличение электропроводности кристалла называют фотопроводимостью. [44]

Взаимодействие я - и гс - орбиталей при сближении невозбужденной и возбужденной молекул этилена. [45]

Страницы: 1 2 3 4