Увеличение - интенсивность - линия
Cтраница 1
Увеличение интенсивности линий получено без их уширения. Особенностью новой лампы является использование разряда для образования атомного пара элемента путем катодного распыления с последующим возбуждением его в положительной части второго разряда, электрически изолированного от первого разряда. Свет от лампы пропускается через пламя, после чего он направляется на атомный пар элемента, создаваемый лампой специальной конструкции. Резонансная флуоресценция этого атомного пара регистрируется непосредственно с помощью фотоумножителя. [1]
 |
Влияние различных носителей на интенсивность линий Si в дуге. а полное выгорание. б фракционное испарение. [2] |
Для увеличения интенсивности линии Si в спектрах и возможного устранения влияния химической формы нахождения микропримесей Si нами было изучено влияние различных носителей. [3]
Некоторое увеличение интенсивности линии циклопентенового кольца в спектре димера ( I) указывает на соседство двойной связи с трехчленным циклом. [4]
 |
Градуировочные графики для определения Mg ( 1 2, Ст ( 3, 4 и А1 ( 5, 6 при наложении магнитного поля ( 2, 4, 6 и без него ( 1, 3, 5. [5] |
Подтверждением увеличения интенсивности линий всех изучаемых элементов в магнитном поле с носителем служат сравнительные гра-дуировочные графики определения ряда примесей, полученные при съемке стандартов в магнитном поле и без него при одних и тех же условиях. Из рис. 2.21 видно, что чувствительность определения магния, хрома, алюминия, а также других изученных в работе элементов ( марганец, никель, кальций, железо) увеличивается на 0 5 - 1 порядок. [6]
 |
Градуировочные кривые для определения магния ( 1, 2, хрома ( 3, 4 и алюминия ( 5, 6 при наложении магнитного поля ( 2, 4, 6 и без него ( 1, 3, 5. [7] |
Подтверждением увеличения интенсивности линий всех изучаемых элементов в присутствии магнитного поля с носителем служат сравнительные градуировочные графики определения ряда примесей, полученные при съемке стандартов в магнитом поле и без него при одних и тех же условиях. Из рис. 7 видно, что чувствительность определения магния, хрома и алюминия, а также и других изученных в работе элементов ( марганец, никель, кальций, железо) увеличивается на 0 5 - 1 порядок. При этом относительное стандартное отклонение метода тонкого слоя при наложении магнитного поля улучшается и паходр. [8]
По мере увеличения интенсивности линии возрастает плотность изображения этой линии на фотопластинке. [10]
Одновременно с увеличением интенсивности линии ( 200) по мере нагружения закаленных образцов значительно снижается интенсивность линии ( 422) ( см. рис. 58), что обусловлено ростом искажений III рода, причем в коррозионной среде интенсивность линии ( 422) снижается меньше и в дальнейшем несколько восстанавливается. Очевидно, коррозионное разрушение металла способствует частичному снятию искажений III рода. [12]
Для выяснения причины увеличения интенсивности линий примесей в окислах РЗЭ при введении носителей Ga2O3 и NaCl нами было измерено среднее время пребывания атомов примесей в окислах РЗЭ ( т) в отсутствие носителей и в присутствии хлористого натрия и окиси галлия. Подробно установка для измерения т примесей, созданная нами, описана на стр. В табл. 21 приведены результаты измерения т атомов кальция. Из таблицы видно, что время пребывания в зоне разряда атомов кальция в присутствии хлорида натрия и окиси галлия увеличивается. [13]
При дальнейшем увеличении напряжения происходит увеличение интенсивности линий характеристического спектра с одновременным увеличением интенсивности сплошного спектра. [14]
Количество аморфной Pt определено по увеличению интенсивности линии 1 1 1 после спекания катализаторов при 800 С. [15]
Страницы: 1 2 3 4