Увеличение - концентрация - свободный электрон
Cтраница 1
Увеличение концентрации свободных электронов повышает проводимость и соответственно - снижает сопротивление полупроводника. Правда, с ростом температуры усиливается хаотическое движение атомов полупроводника, затрудняя тем самым упорядоченное движение электронов, что вызывает увеличение сопротивления полупроводника. Однако влияние роста концентрации свободных электронов на сопротивление полупроводника преобладает над влиянием усиления хаотического движения атомов. Поэтому с повышением температуры сопротивление полупроводника уменьшается. [1]
Увеличение концентрации свободных электронов повышает проводимость и соответственно снижает сопротивление полупроводника. Правда, с ростом температуры усиливается хаотическое движение атомов полупроводника, затрудняя тем самым упорядоченное движение электронов, что вызывает увеличение сопротивления полупроводника. Однако влияние роста концентрации свободных электронов на сопротивление полупроводника преобладает над влиянием усиления хаотического движения атомов. Поэтому с повышением температуры сопротивление полупроводника уменьшается. [2]
Увеличение концентрации свободных электронов в объеме дуги приводит к интенсивной ионизации дугового промежутка, а отсюда к повышению его электропроводности. Вследствие этого напряжение падает до значения, необходимого для устойчивого горения дуги. [3]
Рассмотрим увеличение концентрации свободных электронов в кубической гранецентрированной решетке ограниченного а-твердого раствора при добавлении элемента с более высоким номером группы периодической системы по сравнению с растворителем. [4]
 |
Зависимость электропроводности теллура в твердом и жидком состояниях от температуры.| Зависимость коэффициента Холла теллура в твердом и жидком состояниях от температуры. [5] |
По-видимому, именно в связи с увеличением концентрации свободных электронов и падает суммарная, измеряемая на опыте, диамагнитная восприимчивость теллура вследствие роста спинового парамагнетизма. [6]
Примеси, добавление которых к полупроводнику приводит к увеличению концентрации свободных электронов, называются донорами; примеси, увеличивающие концентрацию дырок, называются акцепторами. Если проводимость полупроводников обусловлена преимущественно свободными электронами, то они называются полупроводниками л-типа; для них дырочная проводимость является неосновной, побочной. Полупроводники, у которых основными носителями тока являются дырки, а побочными - свободные электроны, называются полупроводниками р-типа. [7]
Примеси, добавление которых к полупроводнику приводит к увеличению концентрации свободных электронов, называются донорами; примеси, увеличивающие концентрацию дырок, называются акцепторами. Если проводимость полупроводников обусловлена преимущественно свободными электронами, то они называются полупроводниками п-типа; для них дырочная проводимость является неосновной, побочной. Полупроводники, у которых основными носителями тока являются дырки, а побочными - свободные электроны, называются полупроводниками р-типа. [8]
Примеси, добавление которых к полупроводнику приводит к увеличению концентрации свободных электронов, называются донорами; примеси, увеличивающие концентрацию дырок, называются акцепторами. Если проводимость полупроводников обусловлена преимущественно свободными электронами, то они называются полупроводниками п-типа; для них дырочная проводимость является неосновной, побочной. Полупроводники, у которых основными носителями тока являются дырки, а побочными - свободные электроны, называются полупроводниками р-типа. [9]
Контактный фотоэлектрический эффект можно было бы рассматривать как вторичный результат увеличения концентрации свободных электронов, создающих первичный внутренний фототек в полупроводнике. Это предполагало бы, однако, наличие точного равенства граничных частот для контактного и внутреннего фотоэффектов, тогда как в действительности первая примерно вдвое больше второй. [10]
Таким образом, скорость процесса десорбции должна возрастать с увеличением концентрации дырок в катализаторе р-типа и снижаться с увеличением концентрации свободных электронов в катализаторе - типа. [11]
На катализаторах n - типа ( например, ZnO) наблюдаются изменения противоположного характера. С увеличением концентрации свободных электронов в ZnO за счет добавления Оа2Оз растет как химический потенциал электронов, так и число реакционных центров на поверхности. В результате хемосорбция ускоряется. [12]
Причина этой нелинейной зависимости заключается в существовании постоянного равновесия между количеством ионов и свободных электронов в пламени. Степень ионизации уменьшается с увеличением концентрации свободных электронов. [14]
В 1953 г. Смит [184], исследуя влияние газообразного хлора на ионизацию щелочных металлов с помощью резонансного контура, после введения в пламя атомов натрия или калия в определенных условиях обнаружил сдвиг частоты, противоположный ожидаемому, в то время как для других щелочных металлов такое явление не обнаружено. Причина этого аномального эффекта состоит в увеличении концентрации свободных электронов, несмотря на добавление в систему акцепторов. Используя непосредственные измерения затухания радиоволн микроволнового диапазона, Пейдж впоследствии показал, что увеличение числа свободных электронов наблюдается только при малых концентрациях добавок галогена и при увеличении концентрации проходит через максимальное значение, а затем падает. Найдена зависимость эффекта от температуры и отношения концентраций щелочного металла и галогена. [15]
Страницы: 1 2