Cтраница 2
Согласно Викке [90] и Крюкке [91], десорбция ацетона, по-видимому, контролирует скорость дегидрирования, так как предварительная обработка катализатора ZnO ацетоном тормозит I дегидрирование и не изменяет скорости дегидратации. В соответствии с реакцией ( 54г) увеличение концентрации свободных электронов ( например, при добавлении Оа Оз к окиси цинка); должно приводить к уменьшению десорбции ацетона и, следовательно, скорости дегидрирования. [16]
В настоящее время установлено, что некоторые элементы, например германий и кремний, имеющие ковалентный тип химической связи между атомами в твердом состоянии, после плавления переходят в металлическое состояние. Это происходит за счет разрушения пространственной системы жестких р3 - гибридных связей и сопровождается увеличением концентрации свободных электронов и координационного числа. Это заключение подтверждено исследованиями электропроводности, плотности и других свойств, а также рентгеноструктурными исследованиями ( см. Р е г е л ь, сб. Вопросы теории и исследования полупроводников и процессов полупроводниковой металлургии, Изд-во АН СССР, 1955; Глазов В. [17]
В дальнейшем мы увидим, что при наличии в кристалле полупроводника примесей, величины Сэ и Сд могут во много раз отличаться друг от друга. В связи с этим еще раз обратим внимание на то, что эти величины обратно пропорциональны и потому увеличение концентрации свободных электронов приводит к уменьшению концентрации дырок, и наоборот. [18]
В заключение заметим, что скорость электролитического травления полупроводника п типа может быть резко повышена при освещении поверхности кристалла. Это объясняется тем, что в данном случае происходит генерация неравновесных электронно-дырочных пар. Увеличение концентрации свободных электронов на поверхности кристалла приводит к возрастанию обратного тока через р - п переход. [19]
Если сечения захвата электронов уровнями обоих классов одинаковы, то концентрация электронов не будет меняться. Обратно ( это очень важная возможность), если состояния класса II плохо захватывают электроны, то в них будет скопляться значительное число дырок, увеличивая тем самым число избыточных свободных электронов. В этом случае введение состояний класса II сенсибилизирует фотосопротивление путем увеличения концентрации свободных электронов. Одновременно время жизни свободных пар уменьшается благодаря уменьшению времени жизни дырок. [20]
При таком рассмотрении электроны кристаллической решетки оказываются непосредственными участниками химических процессов, протекающих на поверхности кристалла. Концентрация свободных электронов может определять относительное преобладание той или иной хемосорбированной формы на поверхности, результатом чего могут явиться изменения скорости и направления процесса. Таким образом, реакции, протекающие на поверхности кристалла, могут регулироваться концентрацией свободных электронов или дырок на поверхности. Одни стадии реакции могут ускоряться, а другие замедляться по мере увеличения концентрации свободных электронов. [21]